دانلود مقاله کامل درباره اندازه گیری شاخص های بهره وری

اختصاصی از فی لوو دانلود مقاله کامل درباره اندازه گیری شاخص های بهره وری دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 47
فهرست مطالب:

1-مقدمه

2 -تاریخچه

3-تعریف بهره وری

4- تفاوت بهره وری با تولید

5- اهمیت بهره وری

6- سطوح بهره وری

7-چرخه مدیریت بهبود بهره وری

8- تعریف شاخص های بهره وری

9- انواع شاخص های بهره وری

10-اثربخشی

11-سطوح مختلفی که شاخص های بهره وری برای اندازه گیری می شوند

12-واحد اقتصادی

13- ارزش افزود

14- روش های محاسبه ارزش افزوده

15- ارزش ستانده

16-مصرف واسطه

17-جبران خدمات کارکنان

18-تشکیل سرمایه

19-ارزش موجودی سرمایه

20-انرژی

21- شاخص های تعدیل

22- تمرین عملی 1

23- تمرین عملی 2

24- محاسبه ارزش افزوده از سه روش

25- منابع و مآخذ

مقدمه

در سالهای آغازین هزاره سوم کشورهای جهان سعی دارند که سهم بیشتری از تجارت جهانی را به خود اختصاص دهند. برای نیل به این هدف باید بتوانند توان رقابت پذیری خود را افزایش دهند و این امر جز از طریق ارتقای بهره وری امکان پذیر نخواهد بود. بررسی سهم رشد بهره وری کل عوامل تولید در رشد اقتصادی در کشورهای توسعه یافته یا در حال گذار بیانگر این واقعیت است که در دو دهه گذشته در این کشورها سعی شده سهم عمده ای از رشد اقتصادی از طریق رشد شاخص های بهره وری کل عوامل تامین شود. در صورتیکه کشور ایران بخواهد سطح توسعه یافتگی خود را به سطح کشورهای فوق برساند بجز ارتقای بهره وری سازو کار دیگری دراختیار ندارد.

تاریخچه بهره وری

به طور رسمی و برای نخستین بار لغت بهره وری توسط فردی به نام  کنه در سال 1376 میلادی در مقاله ای به کار برده شد. بیش از یک قرن بعد یعنی در سال 1883 میلادی شخص دیگری به نام لیتر بهر وری را قدرت و توانایی تولید کردن تعریف کرد و در واقع اشتیاق به تولید کردن را همان بهره وری دانست. از اوایل قرن بیستم این لغت دارای مفهوم دقیق تری شد و برای اولین بار در تعریف آن ارتباط بین ستانده و داده مطرح شد. در سال 1900 میلادی ارلی بهره وری را ارتباط بین بازده  و وسایل کار به کار رفته برای تولید بازده تعریف کرد. و بالاخره شخصیت های حقیقی و حقوقی تعاریف دیگری از بهره وری به شرح زیر مطرح ساختند:

سازمان همکاری اقتصادی اروپا:  در سال 1950  تعریف کامل تری از بهره وری به شرح زیر مطرح ساخت:

بهره وری خارج قسمت بازده به یکی از عوامل تولید است به دین ترتیب می توان از بهره وری سرمایه ، بهره وری مواد و ... نام برد.

استر فیلد:  بهره وری را نسبت بازده سیستم تولیدی به مقدار یک یا چند عامل تولید استفاده شده تعریف کرد.

اشتاینر: از بهره وری به عنوان معیار عملکرد یا توانایی موجود برای تولید کالا یا خدمت  یادکرد  . سیگل: بهره وری را نسبت میان ستانده و نهاده مرتبط با عملیات تولیدی مشخص و معیین تعریف می کند.

سازمان بین المللی کار : در تولید محصولات مختلف ادغام چهار عامل زمین ، سرمایه ،کار و سازماندهی را ضروری می داند. گفته می شود که نسبت ترکیب این عوامل به محصولات معیاری برای سنجش بهره وری است.

این فقط قسمتی از متن مقاله است . جهت دریافت کل متن مقاله ، لطفا آن را خریداری نمایید

دانلود سمینار درباره یون گیری واکنشی - شیمی پلاسمایی - فیزیک پلاسما

اختصاصی از فی لوو دانلود سمینار درباره یون گیری واکنشی - شیمی پلاسمایی - فیزیک پلاسما دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 98
فهرست و توضیحات:

• معرفی سمینار
• طرح کلی سمینار
• شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
• زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان
• روند کار و نوع سمینار
• اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
• اطلاعات ثبت نام
• آموزش در سایت
• یادداشتهای نمونه سمینار
• مقالات اخیر ساوین
• تماس ها برای سوالات
• ثبت نام در وب سایت
• اطلاعات ناحیة بوستون
• سوابق آقای ساوین

1-معرفی

• فیزیک پلاسما
• فرآیند ریزالکترونیک

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

• مدل سیفتیک گازی
• مدل توزیع ماکسول- بولتزمن
• مدل گازی ساده شده
• محتوای انرژی
• نرخ برخورد بین مولکولها
• مسیر آزاد
• سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح
• فشار گازی
• خواص انتقال
• جریان گاز
• وضعیت سیال
• رسانایی رساناها
• احتمال برخورد
• پراکندگی گاز- گار
• پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت
• انتشار ارتجاعی
• برخورد غیر ارتجاعی
• نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
• عکس العمل های فاز- گازی

3-فیزیک پلاسما

• توزیع انرژی الکترونی
• سینتیک همگونی پلاسما
• مدل توزیع (مارجینوا)
• مدل توزیع (دروی وشتاین)
• انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
• سینتیک گاز رقیق شده
• شکافت انتشار دو قطبی
• تجمع غلاف
• سینتیک سادة غلاف
• حفاظت یا پوشش «دیبای»
• تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
• آزمایش غلاف بوهم
• خصوصیات میلة آزمایش
• شکست و نگهداری، تخلیة rf
• تقریب میدان مشابه
• تقریب میدان غیرمشابه
• مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf
• اندازه گیری تخریب rf
• مدل توازن الکترونیکی
• مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
• ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf
• خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)
• سیستم همگن (متقارن)
• توزیع ولتاژ در سیستم rf
• توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن
• مدار معادل تخلیة rf
• تنظیم الکترودها
• سینتیک بمباران یونی
• تخلیة اپتیکی
• لم اندازه گیری حرکت
• ریزنگاری تخلیة اپتیکی
• فرآیند برخورد الکترون
• برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما

4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)

• امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی
• بمباران خنثی امیژن ثانویه
• عمل فتوامیژن الکترونهای ثانوی
• ناحیة کاتدی
• یونیزاسیون در غلاف
• توزیع انرژی یونها
• الکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع)
• ناحیة آند
• مدل سازی پلاسمایی DC

5-تخلیه های Rf

• فیزیک پلاسمای rf خازنی
• فیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.
• فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترون
• فیزیک تخلیة هلیکون

پیکره بندی و سخت افزار رآکتور

• همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده ها
• شبکه های الکترونیکی همسان ساده شده
• تنظیم کننده های موج کوتاه
• رآکتورهای لوله ای
• رآکتورهای صفحه موازی (دیودی)
• رآکتورهای صفحه موازی نامتقارن
• گیرندگان یون واکنشی
• گیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.
• گیرندگان اشعه یون واکنشی
• بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین
• گیرندگان دیودی ارتجاعی
• رآکتورهای تریودی
• بایاسینگ Rf
• محدود کردن مغناطیسی چند قطبی
• منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی
• ECR توزیع شده
• منابع در حال جریان نزولی
• ماگنترولها
• مونتاژ کردن لایه لایه ای
• تبرید برگشتی هلیوم
• محکم کاری الکترواستاتیک
• جستجوی نقطة نهایی
• تجزیه و تحلیل تخلیة اپتیکی
• ثبت حرکات تداخلی
• ثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلی
• مونیتورینگ یا مشاهده امپدانسی
• فاز گازی
• تولید اتم اکسیژن
• بارگزاری رآکتورها
• واکنشهای سطحی
• شیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.
• ارتقاء پلمیری
• سینتیک مواد نشتی یا رطوبت ده
• الکترون گیری شیمیایی فزاینده یونی
• اتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+
• پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل
• مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکون
• الکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شده
• الکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شده
• الکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شده
• مقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.
• توده نگاری میکروسکوپی
• میلة آزمایش لانگ میر
• فلورسنت القایی با لیزر
• تحلیل امپدانس پلاسمایی
• ثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده

طیف نگاری تخلیه اپتیکی

8-الکترون گیری جلوه ها

• ده مبارزه برتر الکترون گیری
• مکانیزمهای گسترش مقطعی
• جهت دار شدن بمباران یونی از پلاسما
• پراکندگی یونی در جوله های خاص
• تغییر سطوح در جلوه های ویژه
• الکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگی
• اتم گیری با القاء یونی
• اتم گیری خودبخود
• جابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسما
• جابجایی مجدد بوسیلة خط دید تولیدات
• شکست
• جاذبة بالقوة تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا)
• نسبت منظری الکترون گیری وابسته
• تجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات

9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی

• مدل سازی سطحی ساده شده
• خصوصیات شبیه ساز مونت کارلو
• مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح
• پراکندگی یکنواخت و غیریکنوخت
• انتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزاینده
• پراکندگی از قسمت سطح منبع
• ارتقاء کیفیت سطحی
• مقایسة نتایج آزمایشی و مدل سازی
• تجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیلة پراکندگی یونها
• پراکندگی یونی
• جهت دار شدن یونی
• زاویة ماسک
• ترکیب مجدد سطحی
• جابجایی از پلاسما
• تأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهری
• خشن کردن سطوح در حین اتم گیری

10-تخریب پلاسما

• آلودگی
• خصوصیات منحصر به فرد
• تخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوز
• تخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکی
• تخریب چهارچوبها و قابها
• خوردگی بعد از اتم گیری

11-فرآیندهای اتم گیری

• الکترون گیری و الکترون دهی اعضا
• پلی سیلیکون
• الکترون گیری دروازه ای
• الکترون گیری اکسیدی
• الکترون گیری نیتریدی
• الکترون گیری دی الکتریک با K پائین
• الکترون گیری آلومینیوم
• الکترون گیری مس

12-جابجایی

• انتشار
• جرقه ها، قوس های الکتریکی، بی ثباتی ها
• جابجایی انتشار بایاس
• تنظیم با خط صحیح دید
• منابع رطوبت ده با غلظت بالا
• ترکیب و آلیاژ
• جابجایی انتشاری عکس العملی
• مقدمه چینی برای هدف
• جابجایی بخار متصاعد شیمیایی پلاسما
• وسایل و تجهیزات مربوط به VD
• تمیز کردن اطاقک واکنش
• عملیات آزمایشی PECVD و ماهیت
• نیترید سیلیکون
• دی اکسید سیلیکون
• آکسی فلورید یدهای سیلیکون
• اکسیدهای سیلیکون و کربن
• لایه های پرفلور و کربن

13-پردازش کار با پلاسما در سطوح بزرگ

• جدای یک منبع با فاصله از یک لایه زیرین
• استفاده از منابع پلاسمای با فاصله و آرایش یافته
• مقیاس گذاری منابع پلاسما
• منابع پلاسمای خطی
• منابع جاری پلاسما

14-رآکتورهای لایه لایة ستونی ماکروویو که در فشارهای بالا عمل می کنند

• وسایل عمل آزمایشی
• آزمایشات
• مشخص کردن خصوصیات فرآورده های بعدی
• مکانیزم پیش بینی شده برای کاهش
• استفاده از واحد کاهنده در تأسیسات ساختن (تولید) مدار جامع (IC)
• کاهش PFCهای دیگر
• جمع بندی
• کاهش پیودهای اندوکسیونی با پلاسما
• سابقه
• خلاصة نتایج
• نمرة تحقیقات و نتایج
• محاسبات سینیک شیمیایی
• رآکتورهای کاهنده تجارتی
• رآکتورهای کاهنده تجارتی موج سطحی

15-فرآیند پلاسمای غیر میکروالکترونیک

• استرلیزه کردن با پلاسما
• صفحة مدار چاپی از نوع دوتایی که با چسب به هم متصل می شوند
• مراحل پردازش میکرومکانیکی
• الکترون گیری عمیق چندگانه ای زمانی
• الکترون گیری Si در سیستم STS
• نسبت الکترون گیری
• نسبت منظری پیامد الکترون گیری RIE وابسته
• نسبت الکترون گیری ضد نور
• متحدالشکل بودن
• عوامل تقویت کننده

16-ضمیمه

17-مرجع ها

معرفی سمینار (همایش)

تقریباً 40% از مراحل ساخت و تکمیل در صنعت میکروالکترونیک از فرایندهای پلاسما استفاده می کنند. کاربردها در میکرومکانیک، صفحه نمایش های تخت، تغییر سطوح (تصحیح سطوح)، تمیز کردن، استرلیزه کردن ایجاد پوشش(لایه) با پاشیدن مایع، و قسمتهای متنوع و بیشمار دیگر به سرعت در حال رشد و توسعه زیاد بر مبنای توسعة تکنولوژیکی هستند که برای فرآیندهای میکروالکترونیک (پردازش میکرو الکترونیکی) ساخته می شوند. درک اساسی (مبنای) پردازش (فرآیند) پلاسما(یی) اکنون همین قدر کافیست که مدل ها و نمونه های پلاسمایی بسان (در شکل) ابزارهایی برای فرایندها و روش تولید پلاسمای و ابزار پلاسمایی، ساخته و پرداخته می شوند و جلوه می کنند، همچنانکه مشکلات فرآیند رفع عیب از روی علت، خودنمایی می کنند. در کل رفع اشکالات (عیب یابی) پلاسما اکنون ابزاری شده همانگونه که نشان دهنده های فرآیند ابزارهای عیب یابی و تجسس (بازرسی) و کنترل کننده های فرایند (مراحل انجام کار)، در نقش توسعة قابلیت اعتماد و انعطاف پذیری مراحل انجام کار.

بازنگری ها و مرور سمینار معطوف است به اساس و اصول فیزیک پلاسما که مورد نیاز است برای درک و فهمیدن فرایندهای پلاسما برای استفاده در ساخت و پرداخت و تولید میکروالکترونیک. ارائه مدل هم به سبک فیزیک پلاسما و هم شیمی پلاسما مورد بحث قرار خواهد گرفت. ساختار (ساختمان) که از این مفهوم نشأت می گیرد، پیکره بندی و ساختارهای رآکتور پلاسمایی برتر، برای بدست آوردن (ساختن) یک درک و فهم ثابت و استوار از این مقوله، مورد بحث قرار خواهد گرفت. سپس همین مفاهیم رآکتور در کل و به طور عمومی برای پردازش پلاسمایی مورد استفاده قرار خواهند گرفت. موارد کاربردی مثل پردازش (فرایند) نمایش صفحه ای، استرلیزه کردن، پاک کردن، لایه گذاری یا پوشش دادن با پاشیدن مایع، تصحیح و تغییر سطح پلی مری و انبار کردن، مورد بحث واقع خواهند شد. این سمینار مشابة آن چیزی است که آقای Herb Sawin در دانشگاه MIT در 20 سال گذشته تدریس و معرفی کرده است. این مطلب در طول 16 سال گذشته تا کنون به مهندسین صنعتی در قالب یک برنامة تابستانی یک هفته ای در MIT معرفی و پیشنهاد می شده و در بسیاری از شرکتها هم اکنون روی خط ارتباطی خود، آن را دارند.

نقطه نظر (موضع) یا موضوع مورد بحث سمینار

هر سال که یادداشت ها و مقاله های سمینار توسعه می یابند و بازنگری و تصحیح می‌شوند، محتویات برنامه هم عوض می شوند. یادداشتهای سمینار بتازگی بالغ بر 450 صفحه می شوند و مدارکی در برگیرندة تمام موارد و مواد مطرح شده و پیشنهاد شده در سمینار می باشند. این متن کاملاً فهرست بندی و دارای ضمیمه و مرجع شده است. موارد زیر (فهرست زیر) مواضع و موضوعاتی هستند که توسعه یافته و تغییر کرده اند و برای ارائه در سمینار جاری آماده شده اند.

شرح حال و تحقیق اخیر آقای Herb Sawin

سخنران برنامه آقای هرب ساوین است، پروفسور مهندسی شیمی، مهندسی الکتریسیته و علوم کامپیوتر از انستیتو تکنولوژی ماساچوست (MIT). فروفسور ساوین در حدود 22 سال بر روی موضوع پردازش (فرایند) پلاسما کار کرده و در حدود 160 مقالة تألیف شده و رساله (یادداشت) در پروندة خود دارد. تحقیقات او شامل مطالعه در فیزیک پلاسما، شیمی پلاسما، واکنش های سطوح تغییر و تصحیح سطوح، عیب یابی و تعمیر پلاسمایی، مدل سازی (ارائه مدل) از پردازش. در مورد ویژه او بطور نزدیک با صنعت در توسعه و درک مفاهیم یون گیری الکترونها و ذخیره سازی بخار شیمیایی غنی شده با پلاسما، کار کرده است و نیز عیب یابی پلاسمایی و تمیز کردن لایه های مجاور با میکرو- ماشین ینگ (Micro Machining) «همین او یک متبکر در بیش از 8 مقاله و رساله است که 5 تای آنها از MIT برای صنایع (صنعت) و تکنولوژی اجازه نامه گرفته اند. این مقالات راجع به موضوعات زیر بحث می کنند»:

• پاک کردن خشک لایه های Ni، Fe، Cu، Na، فلزهای آلکالی و اکسیدها
• جایگیر کردن یا (مستقر کردن) لایه های نازک تفلون مانند بصورت بخار شیمیایی برای دی الکتریک های یک لایه در میان و کاربردهای دیگر
• مونیتورینگ (مشاهدة بصری) میزان چند لایه شدن (لایه گیری) اینترفرومتریک لایه ای، پاک کردن، تأخیر RIE، و مرحلة پایانی در برخی فرایندها (End point).
• تحلیل نامحسوس برای حساسیت بیشتر بازرسی (جستجو) در مرحلة پایانی (کاری).
• پیکره بندی (ساختار) رآکتور پلاسمایی
• پاک کردن لایه های مجاور با بخار با روش HF.

برخی از نکات بارز کار آخر او (Sawin) شامل موارد ذیل است:

• او راجع به سینه تیک(کینه تیک) سطوح یون گرفته که مسئول (عامل) یون گیری جهت دار و سمتی مطالعه کرده است که از اشعه ها برای روان کردن (جاری کردن) (و بردن) مایعاتی که هنگام عملیات کار (مراحل انجام کار) بر روی سطوح ریخته می شوند (برخورد می کنند)، استفاده می شود.

او در آزمایشات اولیه ای از یونهای Ar و اشعة CL2 استفاده کرد او می توانست تخلیة فراورده ها (محصول) را از ثبت (یون گیری) لایه های سیلیکونی، اندازه بگیرد. با این تکنیک او اولین کسی بود که توانست زمان جایگزینی (جایگیری) بین برخورد یونها و رهاسازی (تخلیه) الکترونها (نتیجة واکنش) از روی سطح الکتروناه (که برحسب 100 میکرو ثانیه بود). این زمان جایگیری نشان می داد که مکانیزم (ی) برای ارتقاء (افزایش)، از طریق روشهای شیمیایی میسرتر بود تا اینکه بوسیلة پاشیدن مواد از روش فیزیکی یا مکنیزم میله های داغ؟ که عموماً هم به این روش در آن زمان اعتقاد داشتند.

ابتدا برای مشخص کردن و ارائه مدلی از واکنش (پدیدة) شارژ صوری (ظاهری) و تأثیر آن بر اتم گیری وابستة نسبت منظری (تأخیر RIE).

نشان داد که فشار در روی (در مرحلة) رویاروی دی اکسید- پلی سیلیکون عاملی بزرگ در شکل گیری درزها و شکافها می باشد. انعکاس یون با پارژ صوری (ظاهری) برای اندازه گیری مقدار شکاف خوردن (درست شدن شکافها) وسیله و روش کافی‌ای نیست (این روش کافی نیست).

• آزمایشات تخلیة (ستون) ترکیب شده که در حال حاضر در آزمایشگاه آقای ساوین اجرا می شوند، در مدت زمان (از نظر زمانی) بین سیلان واقعی (جاری شدن واقعی) و پیچیدگی با هم تفاوت دارند. مثلاً الکترون گیری (فرم گیری) سیلیکون و اکسید در قالب (رابطة) ستونهای ، F، تعریف و تعیین شده است. جاری شدن (حرکت) لایه ها و ستونهای مذکور با آنها (آن دسته) که در متن فرایندهای الکترون گیری پلاسمایی وجود دارند، قابل مقایسه هستند. تناسب(میزان) الکترون گیری، جایگزین شدن مجدد(ذخیرة مجدد) و منتخب (برگزیده) بودن این فرایند، اندازه گیری شده است و در یک مدل شبیه سازی شدة تصویری قرار داده شده است تا مدلی از فرایندهای الکترون گیری (جهت دار) را ارائه بدهد. او همچنین مقدار جابجایی وزن (جرم) در اثر نیروی واردة (سینه تیک) [Kinetics] الکترون گیری پلی سیلیکون را در ، ، ، و اندازه گیری کرده است. اهمیت دوباره ذخیره کردن (جایگیری مجدد) محصولاتی مثل اندازه گیری کرده است. اهمیت دوباره ذخیره کردن (جایگیری مجدد) محصولاتی مثل  که میزان الکترون گیری را کاهش می دهند. در مصارف عادی و معمولی نشان داده شده که 2 برابر اهمیت دارد. تغییر وضعیت جرم در اثر نیروی وارده در این کار در یک شبیه ساز مصور قرار داه شده تا برای نشان دادن مدلهای پلاسما استفاده شود.
• ساوین و گروهش یکی از اولین کسانی بودند که از مدل هیدرودینامیک برای نمایش صوری فیزیک تخلیه (شارژ) استفاده کردند و نظریاتشان را به طور گسترده‌ای در این قسمت منتشر کردند. مقالة او اولین مقاله ای بود که شامل یک تأثیر درونی انتقال یون می بود و از سوی کسانی که از این فرمول استفاده می‌کردند و قریب به 52 مرتبه از سال 1987 که وی مقاله اش را منتشر کرد، اقتباس و استناد شده بود. در مجموع گروه او یک روش تیراندازی (تخلیة ناگهانی) عددی را توسعه داده بودند برای هم راستا شدن (هم جهت شدن) با حالت یکنواخت ناپایدار و لرزشی در تخلیة rf که توسط دیگران که در این زمینه تشکیل یک گروه و دسته را داده بودند.
• تحت حمایت (Sematech) تکنیک (روش) اینتروفرومتری کامل لایه های فشرده، اختراع (ابداع) شده و ثبت اختراع هم شده بود. این روش نه تنها می تواند متشابه (هم شکل بودن) نسبت الکترون گیری در میان لایه های به هم فشرده را در خلال جایگیری و یا الکترون گیری اندازه بگیرد، بلکه همچنین می تواند اختلافات و تغییرات نسبت الکترون گیری را هم در یک صفحة (لایه) از بین رفته اندازه گیری کند آن هم با وقتی بیشتر از 1% نسبت الکترون گیری. این روش تضمین کرده (قول داده است) که ابزاری با ارزش برای توسعة فرایندها و کنترل باشد. یک شرکت موفق و در حال پیشرفت که بر مبنای این مفهوم ساخته شده بود، شکل گرفت و تولیدات خود را به صنعت ارائه کرد (فروخت) که اکنون تبدیل به شرکتی بزرگ شده است که کارش نظارت و نگرش بر وضعیت مراحل انجام کار در ساخت و تولید می باشد.
• اولین اندازه گیری انتشار زاویه ای بمباران یونی در روی یک الکترود در تخلیة rf در لابراتوار Sawin انجام شد. این اندازه گیریها توسط مدل (نمایش مدل) مونته کارلو از پراکندگی یون در غلاف (پوششی) بود که سبب می شد یون انرژی پیدا کند و جایگیری زاویه ای روی دهد. همچنین این اندازه گیری ها در مدلسازی از وضعیت حرکت ناحیه ای خاص به سمتی خاص در سطح لایه های بهم فشرده در خلال فرایند، دست به دست هم دادند تا محاسبات صورت گیرد. از آنجا که انتشار زاویه ای برای کنترل جهت یابی و ابعاد بحرانی،در الکترون گیری مهم و حیاتی هستند، این کارهای اساسی و پایه ای از اهمیت فراوان برخوردار هستند.

برای اندازه گیری مقدار شیمی پلاسمای فرایندها گروه ساوین تکنیک مدولاسیون قدرت rf را توسعه دادند که می تواند مراحل مرزی نسبت را در کینه تیک شیمیایی مشخص و شکل دهی کند. این مدولاسیون دانسیتة الکترون رخ دهد اما مدولاسیون خیلی کمی در انرژی الکترون در دیگر فیزیک پلاسما بوجود می آید. با اضافه کردن مقدار کمی Ar، دانسیتة سریع الکترون، با مشاهدة مدولاسیون تخلیة بصری Ar، اندازه گیری می شود. همچنین مدولاسیون تخلیه که از واکنشی در پلاسما شکل می گیرد مثل Cl، F، CF، CF2 و غیره، می توانند انواع تعیین مقدار بشوند و وقتی که با تخلیة Ar که برای تصحیح دانسیتة الکترون انجام می شود به حال عادی باز می گردند، تمرکز انتخابی این گونه ها(انواع) تعیین می‌شود. تجزیه و تحلیل های «Fourire» برای تعیین طرز عمل (تابع) انتقالی آزمایشی و متعاقباً برای تابع پذیری کینه تیک شیمیایی استفاده می شود. استفاده از این روش، نشان داده است که ترکیب بیشترین تخلیه ها با (بوسیلة) توازن فرایند پراکنده شدن با برخورد الکترون و ترکیب مجدد سطوح (انرژی) تعیین شده است مثلاً فاز گازی (قسمت گازی) فرایندهای واکنش شیمیایی بصورت سمبلیک و نمونه، مهم نمی باشند. قبل از انجام این کار، کارهای تئوری و آزمایشی زیادی که مدلهای کینه تیک تخلیه ای داشتند و با واکنش های فازگازی جمع بندی شده بودند، در صدر روش ها بودند و روشهای برتری بودند. مشاهدة با تکنیک آنالیز سریع «Sawin» نشان داد که این مدلها یک تا 2 برابر اندازة واقعی از نظر بزرگی، بودند.

این فقط قسمتی از متن مقاله است . جهت دریافت کل متن مقاله ، لطفا آن را خریداری نمایید

کاربرد ابزارهای تصمیم گیری چند معیاره در بهینه یابی شبکه توزیع آب

اختصاصی از فی لوو کاربرد ابزارهای تصمیم گیری چند معیاره در بهینه یابی شبکه توزیع آب دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

عنوان مقاله :کاربرد ابزارهای تصمیم گیری چند معیاره در بهینه یابی شبکه توزیع آب

 محل انتشار:نهمین کنگره ملی مهندسی عمران مشهد

تعداد صفحات: 8

نوع فایل : pdf

دانلود مقاله پیرامون اندازه گیری (فرمت word و باقابلیت ویرایش)تعداد صفحات 392

اختصاصی از فی لوو دانلود مقاله پیرامون اندازه گیری (فرمت word و باقابلیت ویرایش)تعداد صفحات 392 دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

عنوان مقاله :  اندازه گیری

قالب بندی :  word

قیمت :   11000 تومان

شرح مختصر :  تمامی مهندسین ( بدون توجه به اینکه در چه شاخه ای کار می کنند ) پیوسته با مسائل اندازه گیری روبرو هستند . مسائلی نظیر اندازه گیری جرم ، نیرو ، دما ، مقدار یک جریان الکتیرکی ، طول ،زاویه و غیره و یا مسائلی مربوط به اثرات جمعی از آنها .نتایج این قبیل اندازه گیری ها خط مشیی را به مهندس نشان می دهد و اطلاعاتی را فراهم می کند که می توان بر اساس آنها تصمیم گرفت . این قبیل اندازه گیری ها بخشی از علم متالوژی را شکل می دهد به خصوص مربوط به مهندسان مکانیک یا مهندسان تولید می شوند چرا که با اندازه گیری طول و زوایا ارتباطند . در این بین طول یکی از اجزاء مهم اندازه گیری است و با کاربرد خاصی از اندازه گیری خطی می توان اندازه گیری زاویه را نز انجام داد. در حقیقت مقصود از اندازه گیری حصول وسیله ای است برای کمک  به تصمیم گیری هر چه بهتر. البته باید گفت که اندازه گیری تا زمانی بر اساس دقت قابل قبولی نباشد یک اندازه گیری کامل نخواهد بود.اگر چه هیچ اندازه گیری دقیق نیست اما ذکر دقت در اندازه گیری به ابعاد اندازه گیری بسیار مفید است. می دانیم عضو لاینفک اندازه گیری است و گریزی از آن نیست ولی به حد اقل رساندن آن ممکن است

کلمات کلیدی : خطاهای محاسباتی، خطاهای محوری ، خطاهای ناشی از درجه بندی، انواع اندازه گیری، خطاها در قرائت، خطاهای ابزار گیری ، خطاهای ترکیبی ، روشهای اندازه گیری، میکروکاتور جانسون ، مقایسه گر سیگما، مقایسه گرهای مکانیکی – نوری ، مونتاژ اتتخابی ، سیستم های حدی و سازگاری ، علم اندازه گیری ماشین ابزار، آزمایش شکل اینولوت ، خواص یاتاقانی ، دستگاههای میل سوزنی

تحقیق شکل گیری اسراییل

اختصاصی از فی لوو تحقیق شکل گیری اسراییل دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فایل : word

قابل ویرایش و آماده چاپ

تعداد صفحه :56 

یهودیت در بخش دین وتفکر بر خلاف نژاد و نسب ،سابقه ای طولانی دارد. اگر چه گروهی برآنند که این یهودیت دینی، همان یهودیت نژادی است اما بایدگفت که امروزه از نژاد بنی اسرائیل خبری نیست و تنها می توان آنها را با مشخصات و توصیفشان درکتب تاریخی و قدیمی یافت. امروزه هیچ کس نمی تواندخودرا به طور خالص از نژاد بنی اسرائیل بداند.
به هر حال سابقه یهودیت ، بنا به آنچه خودشان در تورات نگاشته اند وامروزه بسیار محل تردید است به فلسطین بازمی گردد. براساس کتب تاریخی یهودْی ایشان توانسته اند زمانی در دو شهر فلسطین اقدام به ایجاد حکومتهای محلی نمایند.
این قوم دوبار مورد هجمه ی دول همجوار واقع شد و در بار دوم – به دست تیتوس امپراتور روم- کاملا مضمحل و نابود گشتند.