فی لوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی لوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

بررسی رفتار اتصال فولادی نیمه گیردار با ورق پیچشی به روش اجزای محدود

اختصاصی از فی لوو بررسی رفتار اتصال فولادی نیمه گیردار با ورق پیچشی به روش اجزای محدود دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

بررسی رفتار اتصال فولادی نیمه گیردار با ورق پیچشی به روش اجزای محدود


بررسی رفتار اتصال فولادی نیمه گیردار با ورق پیچشی به روش اجزای محدود

• مقاله با عنوان: بررسی رفتار اتصال فولادی نیمه گیردار با ورق پیچشی به روش اجزای محدود  

• نویسندگان: امین مقدم ، همایون اسماعیل پوراستکانچی  

• محل انتشار: دهمین کنگره بین المللی مهندسی عمران - دانشگاه تبریز - 15 تا 17 اردیبهشت 94  

• فرمت فایل: PDF و شامل 10 صفحه می باشد.

 

 

 

چکیــــده:

عملکرد سازه های فولادی به طور ویژه ای تحت تاثیر مشخصات اتصالات آن ها و خصوصا اتصالات تیر به ستون است. قبلا اکثر سازه های فولادی با اتصالات صلب و یا مفصلی طراحی و اجرا می شدند اما اخیرا بررسی های زیادی در مورد سازه های با اتصالات نیمه صلب انجام شده است. تحقیقات نشان می دهد که سازه های با اتصالات نیمه صلب ویژگی هایی دارند که سبب برتری این اتصالات نسبت به اتصالات صلب می شود. برای مثال می توان برش پایه کمتر، اقتصادی تر بودن، قابلیت جذب انرژی بیش تر و ... را نام برد. ویژگی های مختلف این اتصالات محققان را بر آن داشت که به بررسی شکل های مختلفی از اتصالات نیمه صلب و ویژگی های منحصر به فرد هر یک بپردازند. در این پژوهش به شکل خاصی از اتصالات نیمه صلب می پردازیم. از ویژگی های مهم این اتصال علاوه بر ویژگی های فوق الذکر می توان سادگی اجرا، کاهش ابعاد ستون ها در حالتی که ضوابط لرزه ای مربوط به قاب های خمشی لحاظ می شود و قابلیت ایجاد تغییرات در شکل آن متناسب با نیاز طراحی و قابلیت تبدیل این اتصال به یک اتصال پیش ساخته فولادی است. برای این کار در ابتدا با استفاده از نرم افزار آباکوس منحنی لنگر دوران آن استخراج شد. سپس با استفاده از مکانیک جامدات سعی شد به نوعی این نتیجه به صورت تحلیلی صحت سنجی شود. در ادامه اثر ابعاد مختلف ورق پیچشی بر رفتار آن مورد بررسی قرار گرفت. به عنوان یک نتیجه اصلی ملاحظه شد که این اتصال تا حد بسیار زیادی تحت اثر ابعاد ورق پیچشی به خصوص ضخامت آن می باشد و در واقع شکل پذیری این اتصال و همچنین سختی آن با تغییرات کوچکی در ضخامت این ورق در دامنه وسیعی قابل تغییر است.

________________________________

** توجه: خواهشمندیم در صورت هرگونه مشکل در روند خرید و دریافت فایل از طریق بخش پشتیبانی در سایت مشکل خود را گزارش دهید. **

** توجه: در صورت مشکل در باز شدن فایل PDF مقالات نام فایل را به انگلیسی Rename کنید. **

** درخواست مقالات کنفرانس‌ها و همایش‌ها: با ارسال عنوان مقالات درخواستی خود به ایمیل civil.sellfile.ir@gmail.com پس از قرار گرفتن مقالات در سایت به راحتی اقدام به خرید و دریافت مقالات مورد نظر خود نمایید. **


دانلود با لینک مستقیم


بررسی رفتار اتصال فولادی نیمه گیردار با ورق پیچشی به روش اجزای محدود

دانلود مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

اختصاصی از فی لوو دانلود مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

 

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها
نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.
ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.
ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .
این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر کشف شد.
این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک و تنارد کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .
اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.
بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.
د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.
بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

 

1. نیمه هادی نوع N وP
از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.
هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.
بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N نام دارد.
در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل هدایت فوق حامل اکثریت و به حفره ها حامل اقلیت می‌گویند.
هرگاه به عناصر نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم ، یک ماده 3 ظرفیتی مانند آلومنیوم یا گالیم تزریق شود، سه الکترون مدار آخر آلومنیوم با سه الکترون سه اتم سیلیسیم یا ژرمانیم مجاور ، تشکیل پیوند اشتراکی می‌دهند . پیوند چهارم دارای کمبود الکترون و در واقع یک حفره تشکیل یافته است .
هر اتم سه ظرفیتی، باعث ایجاد یک حفره می‌شود، بدون اینکه الکترون آزاد ایجاد شده باشد. در این نیمه هادی ناخالص شده، الکترون ها فقط در اثر شکسته شدن پیوندها بو جود می‌آیند.
نیمه هادی هایی که ناخالصی آنها از اتم های سه ظرفیتی باشد، نوع P می‌نامند .
حفره ها در این نیمه هادی به عنوان حامل های اکثریت و الکترون ها به عنوان حاملهای اقلیت وجود دارد، تبدیل یک نیمه هادی نوع p وn و بالعکس بوسیله عملی به نام «جبران»(Compensation) امکان پذیر می‌باشد .

 

2. اتصال PN و تشکیل نیمه های دیود
لحظه ای که دو قطعه نیمه هادی نوع P وN را به هم پیوند می‌دهیم، از آنجایی که الکترون ها و حفره ها قابل انتقال می‌باشند، الکترون های موجود در نیمه هادی نوع N به خاطر بار الکتریکی مثبت حفره ها ، جذب حفره ها می‌گردند. لذا در محل اتصال نیمه هادی نوع P وN ، هیچ الکترون آزاد و حفره وجود ندارد.
3ـ1) لایه تهی
گرایش الکترونهای طرف n پخش شدن در تمامی‌جهات است. بعضی از آنها از پیوندگاه می‌گذرند. وقتی الکترونی وارد ناحیه p می‌شود، یک حامل اقلیتی به حساب می‌آید.
وجود تعداد زیادی حفره در اطراف این الکترون باعث می‌شود که عمر این حامل اقلیتی کوتاه باشد. یعنی الکترون بلافاصله پس از ورود به ناحیه p به داخل یک حفره فرو می‌افتد. با این اتفاق ، حفره ناپدید و الکترون نوار رسانش به الکترون ظرفیت تبدیل می‌شود.
هر بار که یک الکترون از پیوندگاه می‌گذرد، یک زوج یون تولید می‌کند. دایره هایی که درون آنها علامت مثبت است، نماینده یو نهای مثبت و دایره های با علامت منفی نماینده یو نهای منفی اند . به دلیل بستگی کوالانسی ، یونها در ساختار بلوری ثابت اند و مانند الکترونهای نوار رسانش یا حفره ها نمی‌توانند به این سو و آن سو حرکت کنند.
هر زوج یون مثبت و منفی را دو قظبی می‌نامیم . ایجاد یک به معنی این است که یک الکترون نوار رسان ش و یک حفره از صحنه عمل خارج شده اند. ضمن اینکه تعداد دو قطبیها افزایش می‌یابد ، ناحیه ای در نزدیکی پیو ندگاه از بارهای متحرک خالی از بار را لایه تهی می‌نامیم .
3ـ2) پتانسیل سد
هر دو قطبی دارای یک میدان الکتریکی است . بردارها جهت نیروی وارد به بار مثبت را نشان می‌دهند. بنابراین ، وقتی الکترونی وارد لایه تهی می‌شود، میدان الکتریکی سعی می‌کند الکترون را به درون ناحیه n به عقب براند. با عبور هر الکترون، شدت میدان افزایش می‌یابد تا آنکه سرانجام گذرالکترون ازپیوندگاه متو قف می‌شود.
در تقریب دوم ، باید حاملهای اقلیتی رانیز منظور کنیم . به خاطر داشته باشیم که طرف p دارای تعداد الکترون نوار رسانش است که از گرما ناشی می‌شوند. آنها که در داخل لایه تهی واقع اند توسط میدان به ناحیه n برده می‌شوند. این عمل شدت میدان را اندکی کاهش می‌دهد و تعداد کمی‌حاملهای اکثریتی از طرف راست به چپ اجازه عبورمی‌یابند تا میدان به شدت قبلی خود بگردد. به محلی که در آن الکترون ها و حفره ها وجود ندارند را ناحیه تخلیه یا سر کنندگی می‌نامند.
حال تصویر نهایی تعادل را در پیوندگاه ارائه می‌دهیم:
1. تعداد کمی‌حاملهای اقلیتی از یک طرف پیوندگاه به طرف دیگر سوق می‌یابند. عبور آنها میدان را کاهش می‌دهد مگر اینکه،
2. تعداد کمی‌حاملهای اکثریتی از پیوندگاه با عمل پخش گذر کنند و شدت میدان را به مقدار اولیه برگردنند
میدان موجود بین یونها معرف اختلاف پتانسیلی است که به آن پتانسیل سد می‌گوییم . پتانسیل سد کنندگی برای نیمه هادی سیلیسیم بین 6/0 تا 7/0 ولت و برای نیمه هادی ژرمانیم بین 2/0 تا 3/0 ولت می‌نامند.
مقدار ولتاژی که لازم است تا سد کنندگی مورد نظر در پیوند PN خنثی شود را ولتاژ سد کنندگی می‌نامند و آن را با Vy نشان می‌دهند.
هنگام هدایت دیود ، افت ولتاژ دو سر آن در حالت ایده آل صفر و در حالت واقعی ، برابر مقدار ولتاژ سد کنندگی می‌باشد.
قطب منفی منبع به بلور n، و قطب مثبت آن به بلور p متصل است. این نوع اتصال را بایاس مستقیم می‌نامیم.
هرگاه پتانسیل منفی به آند(A) و پتانسیل مثبت به کاتد (K) وصل شود، دیود هدایت نمی‌کند و این حالت را بایاس مخالف دیود می‌نامند.
منبع dc را وارونه می‌بندیم تا بایاسی معکوس برای دیود برقرار شود.
میدانی که از خارج اعمال می‌شود با میدان لایه تهی هم جهت است. به این دلیل ، حفره ها و الکترونها به سوی دو انتهای بلوار عقب نشینی می‌کنند (از پیوندگاه دور می‌شوند) . الکترونهای دور شونده پشت سر خود یونهای مثبت بر جای می‌گذارند ، و حفره هایی که می‌روند یونهای منفی باقی می‌گذارند . بنابراین لایه تهی پهنتر می‌شود .هر چه بایاس معکوس بزرگتر باشد لایه تهی پهنتر است.
وقتی حفره ها و الکترونها از پیوندگاه دور می‌شوند، یونهای نوزاد اختلاف پتانسیل بین دو طرف لایه تهی را افزایش می‌دهند.
هر چه لایه تهی پهنتر می‌شود ، این اختلاف پتانسیل بزرگتر است. افزایش پهنای لایه تهی وقتی متوقف می‌شود که اختلاف پتانسیل آن با ولتاژ معکوس اعمال شده مساوی باشد.
هنگام قطع دیود ، مقاومت دو سر آن زیاد می‌باشد و مانند یک مدار باز عمل می‌کند.
با توجه به حالت های بررسی شده در خصوص دیود ، منحنی مشخصه ، زیرا به دست می‌آوریم.

 

3ـ3 ولتاژ شکست
اگر ولتاژ معکوس را افزایش دهیم سرانجام به ولتاژ شکست می‌رسیم ، در دیودهای یکسو ساز(آنهای که ساخته شده اند تا در یک جهت بهتر از جهت دیگر رسانایی داشته باشند)، ولتاژ شکست معمولاً ازV 50 بیشتر است.
همین که ولتاژ شکست فرا می‌رسد، تعداد زیادی حامل اقلیتی در لایه تهی ظاهر می‌شود و رسانش شدید می‌شود.
در بایاس معکوس الکترون به راست و حفره به چپ رانده می‌شود. سرعت الکترون ، ضمن حرکت زیاد می‌شود .
هرچه میدان لایه تهی قویتر باشد حرکت الکترون سریعتر است . در ولتاژی معکوس بزرگ، الکترونها به سرعتیهای بالا می‌رسند. این الکترونهای بسیار سریع ممکن است با یک الکترون ظرفیت برخورد کند.
اگر این الکترون بسیار سریع دارای انرژی کافی باشد، می‌تواند الکترون ظرفیت را به موازی در نوار رسانش حاصل می‌شود .
اکنون این دو الکترون هر دو شتاب می‌گیرند و می‌توانند دو الکترون دیگر را از جای خود بکنند. به این ترتیب ممکن است تعداد حاملهای اقلیتی بسیار زیاد شود و کار رسانش در دیود شدت گیرد.
حالت شکست بای بیشتر دیودها مجاز نیست. به عبارت دیگر، ولتاژ معکوس در دو سر دیود باید در مقداری کمتر از ولتاژ شکست نگه داشته شود.

 

3ـ4 منحنی دیود در بایاس مستقیم
چون منبع dc جریان مثبت را در جهت پیکان دیود برقرار می‌کند، دیود بایاس
مستقیم دارد. هرچه ولتاژ اعمال شده بیشتر باشد ، جریان دیود بیشتر است.
با تغییر ولتاژ اعمال شده، می‌توانید جریان دیود(با استفاده از آمپرسنج متوالی) و ولتاژ دیود(با ولت سنج موازی) را اندازه بگیرید. با ترسیم نقاط مربوط به جریانها و ولتاژهای متناظر نموداری ازجریان دیود بر حسب ولتاژ دیود به دست می‌آید.
3ـ5 منحنی دیود
وقتی دیودی را در بایاس معکوس قرار دهید . فقط جریان ضعیفی را به دست می‌آورید. با اندازه گیری جریان و ولتاژ دیود می‌توانید منحنی بایاس معکوس را رسم کنید.این منحنی چیزی شبیه خواهد بود . در اینجا هیچ مطلب شگفتی وجود ندارد.
به ازای تمام ولتاژهای معکوس کمتر از ولتاژ شکست BV ، جریان دیود بسیار ضعیف است در ولتاژ شکست به ازای افزایش اندکی در ولتاژ، جریان دیود به سرعت افزایش می‌یابد.
با انتخاب مقادیر مثبت برای ولتاژ و جریان مستقیم ، ومقادیر منفی برای ولتاژ و جریان معکوس ، می‌توانیم منحنیهای مستقیم و معکوس را روی یک تک نمودار رسم کنیم. در این نمودار کشش دیود را جمعبندی می‌کند و بیان می‌دارد که به ازای هر مقدار ولتاژ دیود چه جریانی از دیود می‌گذرد.
3ـ6 دیود ایده آل
تقریب دیود ایده آل تمام جزئیات را جز استخوان بندی عملکرد دیود کنار می‌گذارد . عمل دیود چیست؟ در جهت مستقیم به خوبی هدایت می‌کند و هدایت آن در جهت معکوس بسیار ضعیف است. در شرایط ایده آل ، وقتی دیود بایاس مستقیم دارد مانند یک رسانای کامل (ولتاژ صفر) است .
به اصطلاح مداری، دیود ایده آل مانند یک کلید خودکار عمل می‌کند. وقتی جریان مثبت در جهت پیکان دیود برقرار باشد کلید بسته است . اگر جریان مثبت بخواهد در جهت مخالف بگذرد، کلید باز است. این ساده ترین مدل است.
علیرغم اینکه تقریب دیود ایده آل در ابتدا افراطی به نظر می‌رسد ، ولی در بیشتر مدارهای دیودی پاسخهای مناسبی می‌دهد . مواقعی پیش می‌آید که این تقریب کارایی ندارد، به این دلیل ، به تقریب دوم و سوم نیاز داریم . ولی دیود ایده آل برای تحلیل مقدماتی مدارهای دیودی تقریب بسیار خوبی است.
3ـ7 ظرفیت دیود
دیود نیز مانند عناصری که پایه اتصال سیمی‌دارند ، ظرفیت ناخواسته ای دارد که ممکن است روی عمل آنها در بسامدهای بالا اثر بگذارد، این ظرفیت خارجی معمولا از 1PF کمتر است .
مع هذا ، ظرفیت داخلی که در پیوندگاه دیود ایجاد می‌شوند، از این ظرفیت خارجی مهمتر است، ظرفیت داخلی دیود را ظرفیت گذار می‌نامیم و با CT نمایش می‌دهیم . کلمه « گذار» به عبور از حاده نوع p به نوع n اشاره دارد . ظرفیت گذار را ظرفیت لایه تهی ، ظرفیت سد ، و ظرفیت پیوندگاه نیز می‌گویند.

 

3ـ8 دیود با ظرفیت متغییر(وراکتور)
ظرفیت گذار هر دیود با افزایش ولتاژ معکوس کاهش می‌یابد. دیودهای سیلیسیم که برای این اثر ظرفیتی متغیر بهینه می‌شوند دیود با ظرفیت متغیر (وراکتور) نام دارند.
در بسیاری از موارد، دیود با ظرفیت متغیر جای خازنهای متغیر مکانیکی را می‌گیرند. به عبارت دیگر ، وراکتور موازی با یک اقاگر تشکیل یک ودار تشدید می‌دهد، با تغییر ولتاژ معکوس وراکتور می‌توانیم بسامد بسامد تشدید را تغییر دهیم . این کنترل الکترونیکی بسامد تشدید در کوک کردن از دوره، نوسانگری روبشی،‌و کاربردهای دیگر مناسب است که ابدا مورد بحث قرار خواهند گرفت .
3ـ9 دیود زنر
دیود زنر برای کار در ناحیه شکست ساخته شده است . با تغییر میزان آلایش ، کارخانه های سازنده می‌توانند دیودهای زنری تولید کنند ولتاژ شکست آنها از 2 تا V 200 تغییر کند. با اعمال ولتاژ معکوسی که از ولتاژ شکست زنر در گذرد،‌وسیله ای خواهیم داشت که مانند یک منبع ولتاژ ثابت عمل می‌کند.

 

3ـ9ـ1 شکست بهمنی و شکست زنر
وقتی ولتاژ معکوس اعمال شده به مقدار شکست برسد، حاملهای اقلیتی در لایه تهی شتاب می‌گیرد و به سرعتهایی می‌رسند که بتوانند الکترونهای ظرفیت را از مدار های خارجی اتم جدا کنند. آنگاه الکترونهای تازه آزاد شده می‌توانند سرعتهای به اندازه کافی بالا را کسب و سایر الکترونهای ظرفیت را آزاد کنند. در این را بهمنی از الکترونهای آزاد ایجاد می‌شود. بهمن در ولتاژهای معکوس بیشتر از TV یا در این حدود به وجود می‌آید.
اثر زنر مطلب دیگری است. وقتی غلظت آلایش در دیودی خیلی زیاد باشد لایه تهی بسیار باریک می‌شود. به این دلیل میدان الکتریکیدر لایه تهی بسیا ر شدید است، وقتی شدت میدان تقریبا به V/cm 300000 برسد، میدان چندان شدید هست که الکترونها را از مدارهای ظرفیت خارج کند. ایجاد الکترونهای آزاد با این روش شکست زنر می‌نامیم (گسیل میدان قوی نیز گفته می‌شود).
برای ولتاژهای شکست کمتر ازv 4 اثر زنر بیشتر عمده است، اثر بهمنی برای ولتاژهای شکست بیشتر ازv 6 عمده می‌شود، و بین 4 و6 ولت این دو اثر با هم حضور دارند . در ابتدا تصور می‌شد اثر زنر تنها ساز و کار شکست در دیودهاست.
به این دلیل ، نام « دیود زنر» قبل ازکشف اثر بهمنی از کاربرد وسیعی بر خوردار شد . بنابراین کلیه دیودهایی که برای کار در ناحیه شکست بهینه شده اند، هنوز نام دیود زنر را بر خود دارند.

 

3ـ10خاصیت خازنی پیوند و دیودهای وراکتور
یک دیود در بایاس معکوس مثل یک خازن عمل می‌کند و ظرفیتی حدود 2PF (برای سیلیکنی) ازخود نشان می‌دهد. منطقه تخلیه در دیود مثل عایق دی الکترونیک در خازن و قسمتهای p وn مشابه صفحات خازن هستند با ازدیاد ولتاژ معکوس ، چون ضخامت منطقه تخلیه خم زیاد می‌شود، ظرفیت کاهش می‌یابد.
با فعال کردن نیمه هادی ها به طور مناسب ، « دیودهای وراکتور » که با تغییر ولتاژ مکوس از 2v تا30v ،‌ظرفیتشان از 10PF تا20PF تغییر می‌نماید.
اتز این دیودها در تیونرهایVHFوUHF (به خصوص در تلویزیونها) استفاده می‌شود تا ظرفیت خازن هماهنگ کننده، متناسب با اختلاف پتانسیل دو سرش بتواند به طور خودکار فرکانس دلخواه را تنظیم کند.

 

مدارهای دیودی
1. ترانس ورودی 2.یکسو ساز نیم موج
3. یکسو ساز تمام موج 4.یکسو ساز پل
5. فیلتر خازنی 6.محاسبه مقادیر دیگر
7.جریان ضربه ای 8 .عیب یابی
9.خواندن برگه داده 10.فیوز
11. ترانس ایده آل 12.رامنمای طراحی
13.محاسبه جریان ضربه ای 14. فیلترهای RCو LC
15. منبع تغذیه متقارن 16.چند برابر کننده ولتاژ
17. کلید110/220 18. محدود کننده
19. مهارکننده DC 20.آشکار ساز نوک به نوک
21.برگشت dc

 

3-11عیب یابی
وقتی مدار درست کار کند ولتاژ نقطه A نسبت به زمین V 18+ ، ولتاژ نقطه B نسبت به زمین V 10+ و ولتاژ نقطه Cنسلت به زمین V10+ است.
حال دو مورد عیب را در مدار فوق بررسی می‌کنیم. وقتی مداری درست کار نکند تعمیر کار می‌یابد کار را با اندازه گیری ولتاژها آغتز کند. این اندازه گیری ها معمولا باعث می‌شوند که بتوانیم محدوده عیب را پیدا کنیم .
برای مثال فرض کنید این ولتاژها را اندازه گیری کرده باشیم:
VB=+10V , VC=0V و V 18+=VA
با این مقادیر ممکن است احتمالات مختلفی به ذهن خطور کند اول اینکه ممکن است مقاومت بار قطع باشد که این حدس صحیح نیست چرا که در این صورت ولتاژ باردرهمان مقدار V10 باقی خواهد ماند.
احتمال دوم که به ذهن می‌رسد اتصال کوتاه مقاومت بار است که باز این حدس هم صحیح نیست چرا که در این صورت ولتاژ نقطه B هم برابر صفر خواهد بود.
در نتیجه تنها امکان موجود قطع سیستم اتصال بین دو نقطه خواهد بود که این جواب صحیح است .
این مثال از مواردی است که خرابی ایجاد شده نشانه واحدی ایجاد کرده است. در واقع تنها امکان موجود با توجه به مقادیر ولتاژ اندازه گیری شده قطع ارتباط بین نقاط B وC است.در صورتی که همه خرابی ها دارای نشانه واحدی نیستند. اکثر مواقع تعدادی خرابی نشانه مشترکی دارند. به عبارت دیگر ولتاژهای مشابهی ایجاد می‌کنند . برای روشن تر شدن موضوع فرض کنید تعمیر کار مقادیر ولتاژهای زیر را اندازه گیری کرده باشد.
V 0 = VC و 0= VB و V 18+=VA
خوب، در مورد این عیب چه فکر می‌کنید . ابتدا قطع شدن مقاومت سری (RS ) به ذهن خطور می‌کند که این حدس درستی است.
اما آیا این تنها خرابی متحمل است؟ در نظر بگیرید که شما با این فرض تغذیه را قطع کرده و به کمک اهم متر سعی درآزمایش مقاومت RS و یا ارتباطات مربوطه می‌نمایید اما هم مقاومت سالم است و هم اتصالات مربوطه درست است .
خوب مشکل در کجاست؟ اتصال کوتاه دیود زنر ،اتصال کوتاه مقاومت بار ، چکه لحیم بین نقاط B وC و زمین، بله همة این موارد هم می‌تواند عامل بروز چنین عیبی باشد. پس در این حالت شما موارد زیادی را باید تحقیق نمایید که بلاخره به علت اصلی خواهید رسید.
در خاتمه بخاطر داشته باشید که وقتی قطعه ای می‌سوزد معمولا قطع می‌شود . اما نه همیشه بعضی مواقع قطعات سوخته اتصال کوتاه می‌شوند. از دیگر موارد اتصال کوتاه همانطور که قبلا گفته شد چکه لحیم است که در برد مدار چاپی می‌تواند تولید اتصال کوتاه نماید.

 

4)ساختمان نیمه هادی ترانزیستور
از سال 1930 به بعد نیمه هادی ها به توجه به پیشرفت علم الکترونیک جای المان های لامپی را گرفتند و در سال 1947 آقایان والتر براتین و جان باردین عمل
تقویت سیگنال توسط ترانزیستور را آزمایش نموده اند.

 

 

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله   35 صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

مقاله بررسی سلامت روان افرادی است که ازدواج سنتی ، نیمه سنتی و مدرن داشته اند

اختصاصی از فی لوو مقاله بررسی سلامت روان افرادی است که ازدواج سنتی ، نیمه سنتی و مدرن داشته اند دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله بررسی سلامت روان افرادی است که ازدواج سنتی ، نیمه سنتی و مدرن داشته اند


مقاله بررسی سلامت روان افرادی است که ازدواج سنتی ، نیمه سنتی و مدرن داشته اند

فایل : word

قابل ویرایش و آماده چاپ

تعداد صفحه :53

 

چکیده

 

هدف از پژوهش حاضر ، بررسی سلامت روان افرادی است که ازدواج سنتی ، نیمه سنتی و مدرن داشته اند . به منظور بررسی و رسیدگی به این مهم در فصل 1 این پژوهش سوالاتی مطرح شد و در راستای رسیدگی به این سوالات و پاسخدهی به آنها . یک نمونه 30 تایی از جامعه مورد پژوهش ( منطقه 2 تهران ) را انتخاب کردیم و روش اندازه گیری ما در این تحقیق پرسشنامه GHO ( سلامت روان ) و یک پرسشنامه محقق ساخته بود و نیز استفاده از روش تحلیل استنباطی (کروسکال والیس ) .

 

در انتها به بحث و نتیجه گیری در مورد نتایج بدست آمده پرداخته و مشخص شد که تفاوت معناداری بین سلامت روان این 3 گروه وجود نداشت و تنها رضایت از زناشویی در بین گروه سنتی بالاتر بود که شاید به دلیل بالا بودن مدت زمان تاهل این افراد بود که در سطح معناداری قرار داشت .

ضرورت پژوهش :

می دانیم که خانواده رکن بنیادی و اساسی جامعه است و برای داشتن جامعه ای سالم باید افراد سالمی داشته باشیم ، لازمه برخورداری افراد( کودکان ، نوجوانان ، جوانان ) از سلامت روان ، داشتن والدینی است که خود از سلامت روانی بالایی بهره مندند . برای اینکه یک زوج احساس رضایتمندی کرده وسلامت روانی مطلوبی داشته باشند ، علل و شرایط مختلفی دخیل است . از جمله : وضعیت اقتصادی ، نوع اشتغال ، وجود تفاهم در علائق ، در فرهنگ ، تفاوت سنی که بینشان وجود دارد و پیشینه ای که در زمان تجردی و زندگی با پدر و مادرشان تجربه کردند و...

ولی از آنجایی که یکی از فاکتورهای مهم واساسی در تضمین سلامت روانی زوجین نحوه آشنایی و شیوه همسرگزینی آنهاست ، لذا ضرورت ایجاب می کند تا ما در این پژوهش این مهم را بررسی نماییم .

در این تحقیق ماسه شیوه همسرگزینی را مدنظر قرار داده ایم :

  • آشنایی و دوستی قبل از ازدواج ( بدون دخالت اولیه خانواده ها ) = مدرن
  • آشنایی به هنگام خواستگاری ( گذراندن مدت زمانی بیش از 6 ماه به عنوان نامزد با نظارت و آگاهی خانواده های هر دو طرف و آزادی در مورد قطع یا ادامه ارتباط) = نیمه سنتی
  • آشنایی به هنگام خواستگاری ( و در مدتی کمتر از 6 ماه عقد و عروسی کردن)= سنتی

 

 

 


دانلود با لینک مستقیم


مقاله بررسی سلامت روان افرادی است که ازدواج سنتی ، نیمه سنتی و مدرن داشته اند

دانلود پایان نامه ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی

اختصاصی از فی لوو دانلود پایان نامه ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود پایان نامه ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی


دانلود پایان نامه ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی
خرید و دانلود پایان نامه ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی
دانشگاه آزاد اسلامی- واحد تهران مرکزی
رشته فیزیک گرایش جامد
تعداد صفحات:120
نوع فایل :WORD


چکیده پایان نامه ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی :
در این پایان نامه، ساختارهای مختلف لیزر نیمه هادی و خروجی آنها مورد بررسی قرار گرفته است و عوامل موثر بر این خروجی ها همچون جریان آستانه و تلفات اپتیکی بیان شده است. در نهایت با استفاده از طیف های دیود لیزری طول کاواک لیزر محاسبه شده است.

ساختار دیود لیزری از ۵ لایه رونشستی توسط دستگاه LPE تهیه شده است که ضخامت لایة میانی یا لایة فعال برابر ۰۵/۰ میکرون می باشد. چگالی ناخالصی توسط دستگاه SIMS مورد بررسی قرار گرفته است که نشان می دهد چگالی ناخالصی در عرض لایه رونشستی کاملاً یکنواخت است و ضخامت لایه ها از ۸ میکرون تا ۰۵/۰ میکرون به وسیله دستگاه AFM اندازه گیری شده است. شدت جریان آستانه در حدود A/cm2 70 برای تراشه ای به طول و عرض ۲۰۰*۳۰۰ میکرون محاسبه شده است. مدهای ظاهر شده در شدت جریان بالاتر از آستانه، Ith ، کاملاً مشهود است که نشان می دهد دیود ساخته شده پرتو لیزری از خود تابش می کند. در نهایت با استفاده از رابطه  طول کاواک برای طیف‌های به دست آمده محاسبه شده که مقدار ۲۰۶ میکرون به دست آمده است که با مقدار تجربی ۶% خطا وجود دارد.


قسمتی از پایان نامه ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی :

فصل 1
مقدمه ای بر لیزر (مبانی لیزر)
مقدمه:

تا سال 1960 اپتیک، صنعت نسبتاً کوچکی را تشکیل می داد که مباحث نسبتاً جامع و تکامل یافته چون ابزارهای نوری، دوربین ها، میکروسکوپ ها، و کاربردهای عملی را در بر می گرفت بعدها لیزر پای بر صحنه نهاد ابتدا لیزر یاقوت، گازی و سپس لیزر تزریقی نیمرسانا اوایل، بصورت اساسی به کاربردهای لیزر دست نیافته بودند اما در مرحله جدیدتر توانستند به امکانات بالقوة لیزر در مخابرات، در پردازش، ذخیره و بازاریابی اطلاعات در جراحی چشم از طریق لیزر، الگوی برش لیزری، برش فولاد با لیزر و استفاده از لیزر در مرحله ای از تولید سوخت هسته ای و دگرگونی های عظیم در مخابرات نوری و …دست یابند

پیدایش تارهای شیشه ای بسیار کم اتلاف باعث شده است که مخابرات لیزر، جایگزین بسیار باارزش برای اتصال های سیمی مطرح شود بطور کلی لیزر تحول عظیمی در زندگی بشر و دنیای اطلاعات و …بر جای گذاشت اهمیت لیزر نیمه هادی، بیشتر بخاطر داشتن ساختار بسیار کوچک و نسبتاً ارزان با قابلیت بسیار زیاد در صنایع مخابرات می‎باشد بسامد نخستین لیزر، یاقوت، در طول موج عبارتست از که کمیت مورد توجه هر مهندس مخابرات است حال اگر فقط 1% از این بسامد حامل برای پهنای باند اطلاعاتی بکار گرفته شود در این صورت یک کانال مخابراتی فراهم می‎آید که ظرفیت آن دو تا سه مرتبه بزرگی (102 تا 103) از پهن ترین کانال های موجود بیشتر است

برخی ارتباط های تقویت رادیویی میکروموجی که شرکت مخابرات از آن ها بهره می‎گیرد دارای پهنای باند اطلاعاتی، شامل 10% از بسامدهای حاصل است در نتیجه یک باریکة لیزر می‎تواند تعداد زیادی برنامة تلویزیونی (با پهنای باند MHZ5) و تعداد زیادی مکالمة تلفنی (پهنای باند برای هر مکالمه تلفنی KHZ40) را به صورت همزمان منتقل کند

 

هدف:

هدف از انتخاب این موضوع، لیزر نیمه هادی، از چندین بخش تشکیل یافته است:

1- لیزر نیمه هادی به خاطر سهولت کاربرد و کارایی وسیع آن در مخابرات از مهمترین نوع لیزرها می‎باشد

2- توان الکتریکی مصرف شده برای راه اندازی لیزر نیم رسانا بسیار پایین تر از سایز لیزرها می‎باشد چنین لیزری ممکن است با بازده بالای 50% کار کند علت بالا بودن بازده، بخاطر کوچک بودن ابعاد و در نتیجه بالا رفتن چگالی جریان می‎باشد

3- در لیزر نیمه هادی آینه معمولی، به عنوان فیدبک اپتیکی وجود ندارد در چنین لیزری آینه های لیزری، از برش (کلیو) نمودن ساختار بلوری ایجاد می‎شود

4- قابلیت کنترل خروجی با استفاده از تغییرات در ساختار نیمه هادی (اعم از ناخالصی ها و گاف نوار و …)



در این مطالعه، سعی شده است تا با بررسی روابط میان پارامترهای مختلف اعم از جریان آستانه، توان خروجی، اثرات موجبری و …بتوان با تقریب خوبی، خروجی مورد نظر در کارهای مختلف را تولید نمود

شباهت و تفاوت لیزر نیمه هادی با سایر لیزرها:

لیزرهای نیمه هادی شبیه سایر لیزرها (لیزر حالت جامد، یاقوت و …) هستند و در آنها تابش گسیلی دارای همدوسی زمانی و مکانی بوده و پرتو لیزری آنها بسیار تک رنگ (پهنای باند کوچک) و از راستاییِ زیادی، برخوردار هستند اما لیزرهای نیمه هادی در بعضی جنبه ها با سایر لیزرها تفاوتهایی دارند از جمله:

1- در لیزرهای رایج گذارهای کوانتومی بین ترازهای انرژی مجزا صورت می‎گیرد در حالیکه در لیزر نیمه هادی گذارها به خواص نوری مواد بستگی دارند

2- لیزرهای نیمه هادی بسیار کوچکند بعلاوه از آنجا که ناحیة فعال آنها خیلی نازک است (ضخامت حدود یک میکرون یا کمتر) در نتیجه واگرایی خروجی بطور قابل ملاحظه، از لیزرهای معمول بزرگتر است که این از مشکلات این لیزر محسوب می‎شود

3- مشخصات بینایی لیزرهای نیمه هادی شدیداً به خواص محیط پیوند (نظیر گاف نوار، و تغییرات ضریب شکست) بستگی دارد

4- در لیزرهای پیوندی p-nعمل لیزری بسادگی در اثر عبور جریان مستقیم از دیود صورت می‎گیرد و رویهم رفته سیستم کارایی زیادی دارد و مدولاسیون مدها به علت طول عمر کوتاه فوتون در محدودة فرکانس زیاد امکانپذیر می‎باشد که این مدولاسیون توسط جریان تزریقی انجام می‎شود

یکی از ویژگیهای ممتاز لیزر نیمه هادی، که باعث کاربرد آن در مخابرات شده است قابلیت کوپل شدن با سایر ابزارهای اپتیکی از جمله فیبرهای نوری است و دلیل آن کوچکی ابعاد و ساختارش می‎باشد نور تولید شده در لیزر نیمه هادی زمانی قابل استفاده در صنایع مخابرات است که بتوان آنرا در تارهای شیشه ای باریک (فیبرهای نوری به قطر حدوداً چند میکرون) انتقال داد

بطور کلی هدف این است که شخص بتواند با بررسی طیف خروجی، اطلاعاتی راجع به ساختار لیزر، میزان ناخالصی های بکار رفته، در ترکیبات نیمه هادی جریان آستانه و …بدست آورد تا با این طریق بتوان برای هر زمینة کاری لیزر و طول موج خاص را بکار برد

1-1- خواص باریکة لیزر:

نور لیزر به علت داشتن چهار ویژگی زیر دارای تمایز با نور معمولی است:

1- تکفامی 2- همدوسی 3- جهتمندی 4- درخشایی

1- تکفامی: تنها موج الکترومغناطیسی با فرکانس fکه از رابطة زیر بدست می‎آید تقویت می‎شود:

(چون آرایش دو آینه ای کاواک، تشدیدی ایجاد می‌کند که نوسان تنها در فرکانسهای تشدید این کاواک انجام می پذیرد)

2- همدوسی: برای هر موج الکترومغناطیسی دو مفهوم مستقل همدوسی می‎توان تعریف کرد:1- همدوسی زمانی 2- همدوسی فضایی

برای تعریف همدوسی فضایی دو نقطه P2 , P1را که در لحظه t = 0روی جبهة یک موج الکترومغناطیسی قرار دارند در نظر می گیریم و فرض می کنیم E2(t) , E1(t)میدانهای الکتریکی متناظر در آن دو نقطه باشد بنابر تعریف، اختلاف فاز دو میدان در لحظة صفر است اکنون، اگر این اختلاف در هر لحظه صفر باقی بماند می گوییم بین دو نقطه یک همدوسی کامل برقرار است (و چنانچه برای هر دو نقطة دلخواه جبهة موج الکترومغناطیسی چنین وضعیتی برقرار باشد می گوییم موج دارای همدوسی کامل فضایی است)

حال برای تعریف همدوسی زمانی، میدان الکتریکی موج الکترومغناطیسی را در دو لحظة در نقطه Pدر نظر می گیریم اگر در زمان تأخیر مفروض tاختلاف فاز دو میدان در هر لحظه tیکسان باقی بماند می گوییم در مدت زمان همدوسی زمانی وجود دارد اگر این اختلاف فاز برای هر مقدار t، یکسان باقی بماند گفته می‎شود که موج الکترومغناطیسی دارای همدوسی کامل زمانی است و اگر این امر برای مدت زمان تأخیر صورت گیرد بنحوی که گفته می‎شود موج دارای همدوسی پاره ای زمانی با زمان همدوسی است

3- جهتمندی: این خاصیت نتیجه مستقیم این امر است که مادة فعال لیزری به شکل زیر در داخل کاواک قرار داده شود در واقع فقط موجی که در امتداد کاواک منتشر می‎شود (یا در امتدادی که خیلی نزدیک به آن است) می‎توان در کاواک دوام بیاورد ابتدا به بررسی همدوس کامل فضایی می‎پردازیم: فرض می‎شود باریکه ای با شدت یکنواخت و جبهة موج تخت روی پرده sکه دارای یک گشودگی است فرود می‎آید طبق اصل هویگنس، جبهة موج در هر صفحه Pدر پشت پرده با برهم نهش موجهای جزئی که از هر نقطه گشودگی گسیل می‎شود بدست می‎آید به علت متناهی بودن اندازه گشودگی، D، باریکه دارای واگرایی محدود است مقدار واگرایی از نظریه پراش بدست می‎آید:


فهرست مطالب پایان نامه ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی :
    چکیده
    فصل اول : مقدمه ای بر لیزر (مبانی لیزر)
    مقدمه
    هدف
    شباهت و تفاوت لیزر نیمه هادی با سایر لیزر ها
    خواص بار یکه لیزر
    انواع لیزر
    وارونی انبوهی
    پهن شدگی طیفی و انواع آن
    انواع کاواک نوری (فیدبک)
    برهم نهی امواج الکترومغناطیسی
     فصل دوم : لیزر نیمه هادی و انواع ساختار آن
    مواد نیمه هادی
    بازده گسیل خودبخودی
     انواع باز ترکیب
    گاف انرژی و انواع آن
    وارونی انبوهی و روش پمپاژ در لیزر نیمه هادی
    اتصال p- n اولین تحقق لیزر نیمه هادی
    انواع ساختار ها
    ساختار DFB
    تاثیرات دما به طیف گسیلی ساختار ها
    مختصری راجع به بحث نوری
     لیزر های نیمه هادی و دیود های نور گسیل
    جریان آستانه – خروجی
    روش های بهبود و افزایش بازده کوانتومی داخلی
     لزوم اتصالات اهمی
    فصل سوم : طیف خروجی لیزر نیمه هادی و عوامل مؤثر بر آن
    تغییرات چگالی جریان آستانه و فشار هیدروستاتیکی
    واگرایی پرتو خروجی
    خروجی ساختار ها
    محاسبه پهنای طیف در لیزر های نیمه هادی در ساختار های مختلف
    انواع پهنای طیف
    کوک پذیری لیزر نیمه هادی
    روابط و معادلات مهم در تولید و بازترکیب حامل ها
    بهره در حالت پایا و جریان آستانه
    اهمیت کاواک لیزر
    مدهای تولید شده در داخل کاواک
    تفاوت اساسی مدهای طولی و عرضی
     فصل چهارم : بررسی و تحلیل طیف های خروجی (کار های تجربی)
    پیشنهادات و نتایج
    انواع اتصال دیود و طیف خروجی
    ۱-   مشخصه ولتاژ- جریان (V- I)
    ۲-   مشخصه جریان- مقاومت دینامیکی
    ۳-   مشخصه جریان- توان (P- I)
    ۴-   مشخصه جریان- راندمان کوانتومی دیفرانسیلی
    ۵-   مشخصه توان طول موج
    نمودارهای تجربی
    نتایج
    پیشنهادات
    منابع فارسی
    منابع لاتین





فهرست منابع استفاده شده در  پایان نامه ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی :
1-    اوراسیو سوولتر- ترجمه: اکبر حریری، حسین گل نبی. اصول لیزر
2-    ج ویلسون- ج. ف. ب هاوکز. ترجمه: دکتر عباس بهجت. اصول لیزر و کاربردها
3-    جوزف تامس وردین ترجمه: دکتر محمد کاظم مروج فرشی- دکتر حسین گل نبی الکترونیک لیزر
4-    رسالة دکتری برق الکترونیک، مدلسازی و شبیه سازی نور در لیزر نیمه هادی عباس ظریفکار- تابستان 1383 دانشگاه تربیت مدرس
5-    پایان نامه کارشناسی ارشد الکترونیک- شبیه سازی و آنالیز یک لیزر نیمه هادی با ساختار Index Guided حسین سالار عابدی پاییز 1377 دانشگاه تربیت مدرس
6-    پایان نامه کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک، آنالیز و شبیه سازی ساختار استاتیک لیزر نیمه هادی در سطح گسترده. حمیدرضا شیرکوهی. تابستان 1376 دانشگاه تربیت مدرس
7-    پایان نامه کارشناسی ارشد. لیزرهای GaAs و کاربردهای آن در مخابرات. محمدعلی صادق‌زاده، دانشگاه اصفهان، 1368
8-    پایان نامه کارشناسی ارشد، بررسی تحلیلی طیف اپتیکی لیزرهای نیمه هادی. فاطمه وزیری، 1377 دانشگاه تربیت مدرس
9-    پایان نامه کارشناسی ارشد، بررسی و ساختار لیزری GaAs. ناصر مصلحی میلان- دانشگاه یزد.

 
Refrence
Books:                 
[1]. Mitsu Fukuda , Reliability and Degradation of semiconductor lasers and LEOS, Boston London 1991.
[2]. Motoichiahtsu, Frequency control of semiconductor lasers. Tokyo institut of technology. 1996.
[3]. Tet Sahiko. Ikegami , shoichi sudo, Yoshihisa sakai , Frequency stabilization of semiconductor laser Diode Boston London 1995.
[4]. Takahiro Numa. Fundamentals of semiconductor lasers. Optical sciences 1993.
Papers:
[5]. Diode lasers and photonic integrated circuids
[6]. N. C. Frateschi. A. P. kanjamalu, and A. F. J. levi Appy phys 66 (15) 1995., polarization of lasing emission in micro disk laser diodes.
[7]. Eur. J. phy. 18 (1997) 63-67. Analysis of light- emission processes in light- emitting diodes and semiconductor lasers.
[8]. Am chinley , AW Parke, GJHughes A Tomi cally clean semiconductor surfaces J. Phy. D: Apply phys 13 (1980)
[9]. A. J. Kent, A. Egan. J. G. Mcinerney , J. r. mloney, Enhanced diffraction limited out put power of tapered gain semiconductor lasers 1999/vol.2. No 13/optics EXPRESS.
[10]. Sugimimyra, A, IEE. J. Quantum Electron vol __ 5 P. 627.  1981
[11]. No Holonyak Jr and S.F. H. H. Dill , Jr. stimulated emission of radiation from GaAs p-n Junction. Apply phys lett 1 (1962)
[12]. M. W. Fleming and A. Mooradian. Fundamental line broadening of single mode (GaAl)As diode ___ lasers. Apply phys. Lett 38  511-513 (1981)
[13]. M. okai and T. Tuchiya , Tunable DFB lasers with ultra – narrow spectral line width. Electron lett 29 , 349- 351 (1993).
[14]. M. Okai, spectral characteristics of distributed feedback semiconductor lasers and their improvements by corrugation- pitch- modulated structure. J Appl. Phys 75, 1-29 (1994).
[15]. M. Okai, T. Tsuchiya. A. Takai , and N. Chinone factors limiting the spectral line width of CPM- MQW- DFB lasers. IEEE photo. Technol lett 4. 526- 528 (1992)
[16]. M. W. Fleming and A. Mooradian , Fundamental Appl. Phys. Lett. 38. 511-513 (1981).
[17]. M. Aoki , K. Uomi, T. Tsuchiya, s. sasaki , M. okai , and N. Chinone , Quantum size effect on longitudinal spatial hole hurning in MQM   shifted DFB lasers. IEEE. J. Quantum Electron 1991.


دانلود با لینک مستقیم


دانلود پایان نامه ارتباط بین طیف خروجی و کاواک در لیزر نیمه هادی