فی لوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی لوو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود اقدام پژوهی چگونه توانستم مشکل گوشه گیری فاطمه را برطرف نمایم .

اختصاصی از فی لوو دانلود اقدام پژوهی چگونه توانستم مشکل گوشه گیری فاطمه را برطرف نمایم . دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود اقدام پژوهی چگونه توانستم مشکل گوشه گیری فاطمه را برطرف نمایم .


دانلود اقدام پژوهی چگونه توانستم مشکل گوشه گیری فاطمه را برطرف نمایم .

 

 اقدام پژوهی چگونه توانستم مشکل گوشه گیری فاطمه را برطرف نمایم .

اقدام پژوهی حاضر شامل کلیه موارد مورد نیاز و فاکتورهای لازم در چارت مورد قبول آموزش و پرورش میباشد. این اقدام پژوهی کامل و شامل کلیه بخش های مورد نیاز در بخشنامه شیوه نامه معلم پژوهنده میباشد.

فرمت فایل: ورد قابل ویرایش

تعداد صفحات: 25

 

 

 

 

 

مقدمه

علم از آن نقطه و آن زمان آغاز شد که بشر به فکر حل مسائل مختلف زندگی افتاد. به عبارت دیگر، تاریخ تولد بشر است. بشر اولیه برای حل مسائل و مشکلات خود از ابتدایی ترین مرحله شروع کرد و به کمک برخی از روابط تجربی قادر شد پیرامون خویش را کم و بیش بشناسد و بدین طریق پیچ  و تاب و فراز و نشیب هستی آگاه شد(دلاور،1380،ص 3).

یکی از این علوم، علم روانشناسی است. منظور از روانشناسی، علاوه بر پیشرفت علمی و صنفی بهبود بخشیدن به زندگی انسان نیز هست. این علاقه روزافزون روانشناسان به مسائل روزمره و علمی بشر ، موجب شده است که دانش ما در افراد،به ویژه کسانی که دچا مشکلات روانی هستند، به طور قابل ملاحظه ای افزایش یابد.عدم سازش و وجود اختلالات رفتار در جوامع انسانی بسیار مشهود و فراوان است.

در هر طبقه و صنفی و در هرگروه و جمعی ، اشخاص نامتعادلی زندگی می کنند. بنابراین در مورد همه افراد، اعم از کارگر و دانش پژوه، پزشک و مهندس، زارع ، استاد دانشگاه و غیره، خطرابتلا به ناراحتیهای روانی وجود دارد. به عبارت دیگر هیچ فرد انسانی در برابر امراض مصونیت ندارد(شاملو، 1378،ص 11).

رفتار کم رویی و انزواطلبی ، یکی از رفتارهای نسبتاً شایع است که فرد را به شدت آزار می دهد و اگر درمان نشود نوجوان را به سمت و سوی مشکلات دیگری مثل عدم اعتماد به نفس، افسردگی، اضطراب و زود رنجی سوق خواهد داد. عدم احساس توانمندی و کمی عزت نفس و نیز ناتوانی در بروز احساسات، بیان افکار و نظریات، خود باعث جدایی فرد از فعالیت های گروهی است.

گوشه گیری از نظرلغوی به معنای تنها و مجرد و در خلوت نشستن و از جمع کناره گرفتن است. گوشه گیر کسی است که از مردم دوری می کند وعزلت می گزیند و بدان وسیله خود را با محیط اطراف سازگار می سازد,البته هرنوع عزلت و در تنهای ماندن گوشه گیری تلقی نمی شود هر انسان گاه گاهی دوست دارد تنها باشد تا به خود شناسی وحل مشکلات زندگی بپردازد گوشه گیری زمانی حالت بیماری پیدا می کند که فرد از آمیزش با جمع و همنوعان بیزار و بیمناک باشد در این مورد اگر گوشه گیری بموقع درمان نشود به پیدایش حالات روانی شدید و افسردگی منجر می شود. (شفیع آبادی ، 1374، ص 94) .

کم بود محبت در خانواده می تواند یکی از علل بروز کم رویی باشد که توجه به به کودک و بر طرف کردن خواسته های او هم چنین تشویق و مورد مشاور ه قرار دادن می تواند در درمان این نقیصه کمک کند.

 در جلسه مشاوره معلم با اولیا که در هفته اول مهر ماه برگزار می گردد متوجه مردی شدم که درگوشه حیاط جدا از بقیه ایستاده از همان روز نظر من را به خود جلب کرد. از خود با تعجب سوال کردم چه طور شده یک مرد در جلسات اولیا آمده است؟! ( حضور پدران در جلسات مشاوره معلمان آنقدر کم رنگ شده است که حضور گاه به گاه یک پدر مورد تعجب واقع می شود)

مشکل فاطمه گوشه گیری و انزوا طلبی بود، پدرش چندین بار مراجعه کرده بود و از افت تحصیلی و بی علاقگی او در انجام تکالیف صحبت کرده بود و از اینکه علاقه ای ندارد که با سایر دانش آموزان دوست شود و همیشه توی لاک خودش است، نگران بود و خواستار حل مشکل دخترش شده بود.

حس انسان دوستان و مقتضیات شغل اینجانب ایجاب می کرد که نسبت به حل این مشکل باید احساس وظیفه نموده و تمام سعی و فکر خود را بکار انداخته تا مشکل این دانش آموز را حل کنم .


دانلود با لینک مستقیم


دانلود اقدام پژوهی چگونه توانستم مشکل گوشه گیری فاطمه را برطرف نمایم .

دانلود مقاله کامل درباره یون گیری واکنشی

اختصاصی از فی لوو دانلود مقاله کامل درباره یون گیری واکنشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله کامل درباره یون گیری واکنشی


دانلود مقاله کامل درباره یون گیری واکنشی

 

 

 

 

 

 

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :98

 

بخشی از متن مقاله

مقدمه :

یون گیری واکنشی- PECVD- Ashing- پراکنده کردن مایعات- شیمی پلاسمایی- فیزیک پلاسما- عکس العمل سطوح نسبت به یکدیگر

سخنران: Herbert H.Sawin

پروفسور مهندسی شیمی و مهندسی برق و علوم کامپیوتر از مؤسسه علم و صنعت ماساچوست (MIT)، شهر کمبریج، MA

پیشنهادهای فهرست شدة سمینار:  July 8-12,2002کمبریج، ماساچوست

  • ارزیابی های سمینار
  • معرفی سمینار
  • طرح کلی سمینار
  • شرح حال و تحقیقات جاری هرب ساوین
  • زمینه ها و خصوصیات خواسته شده از ثبت نام کنندگان
  • روند کار و نوع سمینار
  • اطلاعات برای ذخیره جا در هتل
  • اطلاعات ثبت نام
  • آموزش در سایت
  • یادداشتهای نمونه سمینار
  • مقالات اخیر ساوین
  • تماس ها برای سوالات
  • ثبت نام در وب سایت
  • اطلاعات ناحیة بوستون
  • سوابق آقای ساوین

1-معرفی

  • فیزیک پلاسما
  • فرآیند ریزالکترونیک

2-سیفتیک گازی (Gas Kinetics)

  • مدل سیفتیک گازی
  • مدل توزیع ماکسول- بولتزمن
  • مدل گازی ساده شده
  • محتوای انرژی
  • نرخ برخورد بین مولکولها
  • مسیر آزاد
  • سیالیت عددی ذرات گاز روی یک سطح
  • فشار گازی
  • خواص انتقال
  • جریان گاز
  • وضعیت سیال
  • رسانایی رساناها
  • احتمال برخورد
  • پراکندگی گاز- گار
  • پراکندگی ذره از یک آرایش ثابت
  • انتشار ارتجاعی
  • برخورد غیر ارتجاعی
  • نمونه های فرآیندهای برخورد غیر ارتجاعی
  • عکس العمل های فاز- گازی

3-فیزیک پلاسما

  • توزیع انرژی الکترونی
  • سینتیک همگونی پلاسما
  • مدل توزیع (مارجینوا)
  • مدل توزیع (دروی وشتاین)
  • انتقال ذره باردار شده و باردار شدن فضایی
  • سینتیک گاز رقیق شده
  • شکافت انتشار دو قطبی
  • تجمع غلاف
  • سینتیک سادة غلاف
  • حفاظت یا پوشش «دیبای»
  • تجمع غلاف و آزمایش بوهم (Bohm)
  • آزمایش غلاف بوهم
  • خصوصیات میلة آزمایش
  • شکست و نگهداری، تخلیة rf
  • تقریب میدان مشابه
  • تقریب میدان غیرمشابه
  • مدل سازی ئیدرودینامیک خودساختة تخلیة rf
  • اندازه گیری تخریب rf
  • مدل توازن الکترونیکی
  • مقایسة تخریب rf اندازه گیری شده و محاسبه شده
  • ارائه مدل به سبک مونت کارلوی تخلیة rf
  • خود با یا سنیگ rf (تجمع خودبخودی rf)
  • سیستم همگن (متقارن)
  • توزیع ولتاژ در سیستم rf
  • توزیع ولتاژ در پلاسمای خازنی rf متقارن و غیر متقارن
  • مدار معادل تخلیة rf
  • تنظیم الکترودها
  • سینتیک بمباران یونی
  • تخلیة اپتیکی
  • لم اندازه گیری حرکت
  • ریزنگاری تخلیة اپتیکی
  • فرآیند برخورد الکترون
  • برخورد الکترونی اکسیژن در پلاسما

4-تخلیه های مدار مستقیم (DC)

  • امیژن ثانویه الکترون در بمباران یونی
  • بمباران خنثی امیژن ثانویه
  • عمل فتوامیژن الکترونهای ثانوی
  • ناحیة کاتدی
  • یونیزاسیون در غلاف
  • توزیع انرژی یونها
  • الکترونهای اشعه ای (الکترونهای سریع)
  • ناحیة آند
  • مدل سازی پلاسمایی DC

5-تخلیه های Rf

  • فیزیک پلاسمای rf خازنی
  • فیزیک تخلیه RF که بصورت القایی فردوج شده اند.
  • فیزیک تخلیه رزونانس الکترون- سیلکوترون
  • فیزیک تخلیة هلیکون

پیکره بندی و سخت افزار رآکتور

  • همگن کردن شبکه ها و تنظیم کننده ها
  • شبکه های الکترونیکی همسان ساده شده
  • تنظیم کننده های موج کوتاه
  • رآکتورهای لوله ای
  • رآکتورهای صفحه موازی (دیودی)
  • رآکتورهای صفحه موازی نامتقارن
  • گیرندگان یون واکنشی
  • گیرندگان واکنشی یون که بطور مغناطیسی افزایش یا رشد یافته اند.
  • گیرندگان اشعه یون واکنشی
  • بایاسینگ جریان مستقیم در گیرندگان نمادین
  • گیرندگان دیودی ارتجاعی
  • رآکتورهای تریودی
  • بایاسینگ Rf
  • محدود کردن مغناطیسی چند قطبی
  • منابع پلاسمای غیر قابل دسترسی
  • ECR توزیع شده
  • منابع در حال جریان نزولی
  • ماگنترولها
  • مونتاژ کردن لایه لایه ای
  • تبرید برگشتی هلیوم
  • محکم کاری الکترواستاتیک
  • جستجوی نقطة نهایی
  • تجزیه و تحلیل تخلیة اپتیکی
  • ثبت حرکات تداخلی
  • ثبت لیزری امواج یا حرکات تداخلی
  • مونیتورینگ یا مشاهده امپدانسی
  • فاز گازی
  • تولید اتم اکسیژن
  • بارگزاری رآکتورها
  • واکنشهای سطحی
  • شیمی لایه هایی که خود بخود واکنش دارند.
  • ارتقاء پلمیری
  • سینتیک مواد نشتی یا رطوبت ده
  • الکترون گیری شیمیایی فزاینده یونی
  • اتمهایی که با گرفتن یون ارتقاء پیدا می کنند مثل Cl و Cl+
  • پراکندگی و جایگزی حاصل الکترون گیری مثل
  • مدلهای سینتیک الکترون گیری پلی سیلیکون
  • الکترونگیری پلی سیلیکون مرتب شده
  • الکترون گیری اکسید که توسط یون زیاد شده
  • الکترون گیری ضد نور که توسط یون زیاد شده
  • مقایسه مواد شیمیایی ارتقاء یافته با یون و بستهای الکترون گیری خود بخود شیمیایی.
  • توده نگاری میکروسکوپی
  • میلة آزمایش لانگ میر
  • فلورسنت القایی با لیزر
  • تحلیل امپدانس پلاسمایی
  • ثبت تداخل با لایه های کاملاً چسبیده

طیف نگاری تخلیه اپتیکی

8-الکترون گیری جلوه ها

  • ده مبارزه برتر الکترون گیری
  • مکانیزمهای گسترش مقطعی
  • جهت دار شدن بمباران یونی از پلاسما
  • پراکندگی یونی در جوله های خاص
  • تغییر سطوح در جلوه های ویژه
  • الکترون دهی و الکترون گیری با پراکندگی
  • اتم گیری با القاء یونی
  • اتم گیری خودبخود
  • جابجایی نمونه ها و فعال ها از پلاسما
  • جابجایی مجدد بوسیلة خط دید تولیدات
  • شکست
  • جاذبة بالقوة تصویر با دیواره های هدایت پذیر (رسانا)
  • نسبت منظری الکترون گیری وابسته
  • تجمع نامتقارن در الکترون گیری پلی سیلیکونی و فلزات

9-مدل سازی سه بعدی از عوارض زمین و عوارض جغرافیایی

  • مدل سازی سطحی ساده شده
  • خصوصیات شبیه ساز مونت کارلو
  • مصرف جذب شدن در سطوح عمل متقابل به هم در سطوح
  • پراکندگی یکنواخت و غیریکنوخت
  • انتشار فیزیکی و الکترون گیری با یون فزاینده
  • پراکندگی از قسمت سطح منبع
  • ارتقاء کیفیت سطحی
  • مقایسة نتایج آزمایشی و مدل سازی
  • تجمع شکافتهای میکروسکوپی به وسیلة پراکندگی یونها
  • پراکندگی یونی
  • جهت دار شدن یونی
  • زاویة ماسک
  • ترکیب مجدد سطحی
  • جابجایی از پلاسما
  • تأثیر تغییر مکان بر وضع ظاهری
  • خشن کردن سطوح در حین اتم گیری

10-تخریب پلاسما

  • آلودگی
  • خصوصیات منحصر به فرد
  • تخریب دروازه با اکسید شدن- ذرات پوز
  • تخریب دروازه با اکسید شدن- فشار الکتریکی
  • تخریب چهارچوبها و قابها
  • خوردگی بعد از اتم گیری

11-فرآیندهای اتم گیری

  • الکترون گیری و الکترون دهی اعضا
  • پلی سیلیکون
  • الکترون گیری دروازه ای
  • الکترون گیری اکسیدی
  • الکترون گیری نیتریدی
  • الکترون گیری دی الکتریک با K پائین
  • الکترون گیری آلومینیوم
  • الکترون گیری مس

12-جابجایی

  • انتشار
  • جرقه ها، قوس های الکتریکی، بی ثباتی ها
  • جابجایی انتشار بایاس
  • تنظیم با خط صحیح دید
  • منابع رطوبت ده با غلظت بالا
  • ترکیب و آلیاژ
  • جابجایی انتشاری عکس العملی
  • مقدمه چینی برای هدف
  • جابجایی بخار متصاعد شیمیایی پلاسما
  • وسایل و تجهیزات مربوط به VD
  • تمیز کردن اطاقک واکنش
  • عملیات آزمایشی PECVD و ماهیت
  • نیترید سیلیکون
  • دی اکسید سیلیکون
  • آکسی فلورید یدهای سیلیکون
  • اکسیدهای سیلیکون و کربن
  • لایه های پرفلور و کربن

13-پردازش کار با پلاسما در سطو بزرگ

  • جدای یک منبع با فاصله از یک لایه زیرین
  • استفاده از منابع پلاسمای با فاصله و آرایش یافته
  • مقیاس گذاری منابع پلاسما
  • منابع پلاسمای خطی
  • منابع جاری پلاسما

14-رآکتورهای لایه لایة ستونی ماکروویو که در فشارهای بالا عمل می کنند

  • وسایل عمل آزمایشی
  • آزمایشات
  • مشخص کردن خصوصیات فرآورده های بعدی
  • مکانیزم پیش بینی شده برای کاهش
  • استفاده از واحد کاهنده در تأسیسات ساختن (تولید) مدار جامع (IC)
  • کاهش PFCهای دیگر
  • جمع بندی
  • کاهش پیودهای اندوکسیونی با پلاسما
  • سابقه
  • خلاصة نتایج
  • نمرة تحقیقات و نتایج
  • محاسبات سینیک شیمیایی
  • رآکتورهای کاهنده تجارتی
  • رآکتورهای کاهنده تجارتی موج سطحی

15-فرآیند پلاسمای غیر میکروالکترونیک

  • استرلیزه کردن با پلاسما
  • صفحة مدار چاپی از نوع دوتایی که با چسب به هم متصل می شوند
  • مراحل پردازش میکرومکانیکی
  • الکترون گیری عمیق چندگانه ای زمانی
  • الکترون گیری Si در سیستم STS
  • نسبت الکترون گیری
  • نسبت منظری پیامد الکترون گیری RIE وابسته
  • نسبت الکترون گیری ضد نور
  • متحدالشکل بودن
  • عوامل تقویت کننده

16-ضمیمه

17-مرجع ها

 

معرفی سمینار (همایش)

تقریباً 40% از مراحل ساخت و تکمیل در صنعت میکروالکترونیک از فرایندهای پلاسما استفاده می کنند. کاربردها در میکرومکانیک، صفحه نمایش های تخت، تغییر سطوح (تصحیح سطوح)، تمیز کردن، استرلیزه کردن ایجاد پوشش(لایه) با پاشیدن مایع، و قسمتهای متنوع و بیشمار دیگر به سرعت در حال رشد و توسعه زیاد بر مبنای توسعة تکنولوژیکی هستند که برای فرآیندهای میکروالکترونیک (پردازش میکرو الکترونیکی) ساخته می شوند. درک اساسی (مبنای) پردازش (فرآیند) پلاسما(یی) اکنون همین قدر کافیست که مدل ها و نمونه های پلاسمایی بسان (در شکل) ابزارهایی برای فرایندها و روش تولید پلاسمای و ابزار پلاسمایی، ساخته و پرداخته می شوند و جلوه می کنند، همچنانکه مشکلات فرآیند رفع عیب از روی علت، خودنمایی می کنند. در کل رفع اشکالات (عیب یابی) پلاسما اکنون ابزاری شده همانگونه که نشان دهنده های فرآیند ابزارهای عیب یابی و تجسس (بازرسی) و کنترل کننده های فرایند (مراحل انجام کار)، در نقش توسعة قابلیت اعتماد و انعطاف پذیری مراحل انجام کار.

بازنگری ها و مرور سمینار معطوف است به اساس و اصول فیزیک پلاسما که مورد نیاز است برای درک و فهمیدن فرایندهای پلاسما برای استفاده در ساخت و پرداخت و تولید میکروالکترونیک. ارائه مدل هم به سبک فیزیک پلاسما و هم شیمی پلاسما مورد بحث قرار خواهد گرفت. ساختار (ساختمان) که از این مفهوم نشأت می گیرد، پیکره بندی و ساختارهای رآکتور پلاسمایی برتر، برای بدست آوردن (ساختن) یک درک و فهم ثابت و استوار از این مقوله، مورد بحث قرار خواهد گرفت. سپس همین مفاهیم رآکتور در کل و به طور عمومی برای پردازش پلاسمایی مورد استفاده قرار خواهند گرفت. موارد کاربردی مثل پردازش (فرایند) نمایش صفحه ای، استرلیزه کردن، پاک کردن، لایه گذاری یا پوشش دادن با پاشیدن مایع، تصحیح و تغییر سطح پلی مری و انبار کردن، مورد بحث واقع خواهند شد. این سمینار مشابة آن چیزی است که آقای Herb Sawin در دانشگاه MIT در 20 سال گذشته تدریس و معرفی کرده است. این مطلب در طول 16 سال گذشته تا کنون به مهندسین صنعتی در قالب یک برنامة تابستانی یک هفته ای در MIT معرفی و پیشنهاد می شده و در بسیاری از شرکتها هم اکنون روی خط ارتباطی خود، آن را دارند.

متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

/images/spilit.png

دانلود فایل 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله کامل درباره یون گیری واکنشی

مقاله رابطة زبان در شکل گیری شخصیت و تفکر

اختصاصی از فی لوو مقاله رابطة زبان در شکل گیری شخصیت و تفکر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله رابطة زبان در شکل گیری شخصیت و تفکر


مقاله رابطة زبان در شکل گیری شخصیت و تفکر

لینک پرداخت و دانلود: 

فرمت فایل: word

تعداد صفحه:29

 

فهرست:

نقش زبان در شکل گیری شخصیت و روابط انسان

نظری اجمالی به زبان درونی و رویکرد شخصیتی

شخصیت دیداری

شخصیت شنیداری

شخصیت احساسی

مرحرومیت زبان

یادگیری زبان، کاری شاق

تبعیض و بی عدالتی

چکار می توان کرد؟

چرخش زبان شناختی یکی از ریشه های عمیق تفکر پسامدرن شناخته می شود

 

اگر تاکنون " قدرت خارق العاده بازتاب دادن" را تـجربه نکرده ایـد، حـالا فرصت خوبی است که این کار را انجام دهید چراکه "زبان هـای درونی" حـالـت پیشرفته بازتاب هـای درونی افراد می باشند. با بازتاب دادنهای اولیه، فرد با طرف مقابل خـود ارتـباط برقرار می کند و این احساس را در آنها بـوجـودمی آورد که می توانند به او اعتماد کنند. مرحله بعدی درک "زبان درونی" آنـهاست تـا بتـوانـید بــا زبان خودشان با آنهاصحبت کنید و آنها را به طور کامل متوجـه منــظورتان کنید.


دانلود با لینک مستقیم


مقاله رابطة زبان در شکل گیری شخصیت و تفکر

دانلود مقاله گوشه گیری ، کمرویی و انزواطلبی نوجوانان

اختصاصی از فی لوو دانلود مقاله گوشه گیری ، کمرویی و انزواطلبی نوجوانان دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله گوشه گیری ، کمرویی و انزواطلبی نوجوانان


دانلود مقاله گوشه گیری ، کمرویی و انزواطلبی نوجوانان

نوجوانی دوره ای است که در آن دانش آموز بیش از هر زمان دیگر نیاز به راهنمایی و مشاوره دارد . نوجوان ضمن مشورت با اولیا و مربیان ، دست کم باید بداند که چگونه خود را بهتر بشناسد و از برخوردهای زیان بخش در محیط خانه و مدرسه پرهیز کند .

« چهار راه نوجوانی » روایتگر تجربه های اولیا و مربیانی است که به ندرت فرصت می یابند فنونی را که طی سال ها در خویش درونی ساخته اند ، بررسی کرده ، به روشنی دربارة آن سخن بگویند .

« چهار راه نوجوانی » باتوجه به تجربیات معلمان و مشکلاتی که اولیا با آن مواجه بوده اند ، نوشته شده است .

بدیهی است که خلاقیت و ابتکار فردی معلمان و اولیای خانه ، با توجه به تفاوت های فردی کودکان و نوجوانان ، نقش سازنده ای در امر مشاوره خواهد داشت .

گوشه گیری ، کم رویی و انزواطلبی چیست ؟

گوشه گیری ، کم رویی و انزوا طلبی عارضه ای است که باعث می شود کودک و نوجوان از برقرار کردن ارتباط با افراد و محیط خارج دوری کنند و این کودکان و نوجوانان نوعاً با تقلیل یافتن علایق ذهنی و عاطفی نسبت به اطرافیان خود از داشتن دوستان نزدیک و صمیمی محروم اند . نوجوانی که کم رو و گوشه گیر است ، معمولاً از حضور در فعالیت های جمعی سرباز می زند و فقط با تک دوست خود که نوعاً به او بسیار وابسته می شود اوقات خود را سپری می کند .

رفتار کم رویی و انزوا طلبی یکی از رفتار های نسبتاً شایع است که فرد را به شدت آزار می دهد و اگر درمان نشود نوجوان را به سمت و سوی مشکلات دیگری مثل عدم اعتماد به نفس ، افسردگی ، اضطراب و زودرنجی سوق خواهد داد . عدم احساس توانمندی و کمی عزت نفس و نیز ناتوانی در بروز احساسات ، بیان افکار و نظریات ، خود باعث جدایی فرد از فعالیت گروهی است .

علل :

علل گوشه گیری و کم رویی عبارت اند از :

  • محرومیت از محبت خانواده
  • نقص عضو یا بیماری های جسمی و فیزیولوژیک
  • اختلال در گویش و تکلم
  • شکست های متعدد و تحقیر شدن کودک در برابر جمع
  • عدم امنیت روانی در محیط خانه و مدرسه و فشارهای روانی مستمر
  • تنبیه ، توبیخ و سرزنش کودک و نوجوان توسط والدین و به ویژه از عواطف مادر
  • کنترل شدید تربیتی و سخت گیری های وسواس گونه و غیر منطقی

پیش گیری و درمان :

برای پیش گیری و درمان گوشه گیری و کم رویی می توان شیوه های زیر را به کار بست :

  • حمایت های عاطفی در جهت تقویت اعتماد به نفس در نوجوان .
  • واگذاری مسئولیت های مناسب با توجه به میزان توان جسمی و ذهنی نوجوان .
  • قرار ندادن نوجوان در موقعیت هایی که تجربه های شکست را به دنبال دارد .
  • تشویق و زمینه سازی حضور نوجوان در فعالیت های جمعی و گروهی .
  • ایجاد آمادگی لازم برای جرئت ورزی در ابراز عقاید و بیان نظرات خود و نیز پذیرش نظرات مخالف از طرف دیگران .

استرس چیست ؟

به طورکلی ، استرس حاصل نیاز ما به سازگاری فیزیکی ، ذهنی و احساسی در مقابل یک تغییر است . مقدار جزئی استرس می تواند مفید باشد ، چرا که به زندگی جذابیت و تحرک می بخشد و ما را  روی پای خودمان نگه می دارد . تغییرات جزئی و ملایم نه تنها مضر نیستند بلکه مفید و سازنده اند و در پرورش حس سازش پذیری ما نقش عمده ای ایفا می کنند . اما وقتی که تغییرات از حد مجاز فراتر روند و در طول دوره ای از زمان بر زندگی ما اثر منفی بگذارند ، در این جاست که ظرفیت سازش پذیری ما اشباع می شود و تحمل آن غیر ممکن می نماید .

توصیه هایی برای کاهش استرس :

  • یاد بگیرید که برنامه ریزی کنید .

آشفتگی ، بی نظمی و عدم سازمان دهی در کارها و برنامه ها می تواند تولید استرس کرده ، یا نقطه ای برای شروع آن باشد . در دست داشتن برنامه و طرح های زیاد که به صورت هم زمان پیش می روند اغلب منجر به سردرگمی ، فرآموشی و احساس ترس از شکست طرح های ناتمام می شود .

هر زمان که امکانش باشد طرح ها را یکی بعد از دیگری به انجام برسانید . به این صورت که طرحی را شورع کرده ، روی آن کار کنید تا تمام شود .

  • محدودیت ها و وضعیت های خود را بشناسید و آن ها را قبول کنید .

بسیاری از ما برای خود اهداف دست نیافتنی ، آرمان گرایانه و غیر منطقی تعیین می کنیم ، در نتیجه هر قدر هم که کارایی و عملکرد ما بالا باشد یک نوع حس شکست یا عدم کفایت و طلاحیت در خود احساس می کنیم . این نکته مهم را نباید فراموش کنیم که ما هرگز نمی توانیم کامل و بی نقص باشیم. پس برای خود اهدافی تعیین کنید که دست یافتنی و قابل دست یابی باشد .

  • یاد بگیرید که در زندگی بازی ، تفریح و سرگرمی داشته باشید .

شما هر از چند گاهی نیاز دارید که از فشار زندگی فرار کنید و به تفریح و سرگرمی روی آورید . صرف نظر از سطح توانایی و مهارتتان در بازی ، سرگرمی ها و بازی هایی پیدا کنیدکه برایتان جذاب و لذت بخش باشد .

  • شخصی مثبت ، سازنده و مفید باشید .

از انتقاد و عیب جویی دیگران خودداری کنید . یاد بگیرید از چیزهایی که خوشتان می آید و دوستشان دارید و در وجود دیگران هست تعریف و تمجید کنید . سعی کنید به صفات و خصوصیات خوب و پسندیده افراد دور و برتان توجه نمایید . اطمینان حاصل کنید که برای خود ارزش قائل اید و صفات خوب و ویژگی های برتر خود را تحسین می کنید .

  • یاد بگیرید که گذشت داشته باشید و دیگران و عقاید آن ها را تحمل کنید .

تحمل نکردن دیگران و عقاید آن ها منجر به یأس ، ناکامی و عصبانیت می شود . تلاش برای فهمیدن این که واقعاً مردم چگونه فکر می کنند و چه احساسی دارند می تواند باعث شود که شما آن ها را بیش تر بپذیرید . خودتان را نیز باور داشته باشید و از خطای خود چشم پوشی کنید .

  • از رقابت ها و چشم پوشی های بیجا و غیرضروری پرهیز کنید .

موقعیت هایی در زندگی وجود دارد که جنبه رقابتی دارد و ما نمی توانیم از آن ها اجتناب کنیم . درگیر شدن افراطی یا مسئله سربودن و جلو بودن از دیگران در زمینه های زیادی از زندگی می تواند ایجاد تنش و اضطراب شدید کند و ما را به صورت فردی پرخاشگر درآورد .

  • به طور مرتب ورزش کنید .

قبل از آغاز هر برنامه ورزشی با پزشک خود هماهنگی لازم را به عمل بیاورید . اگر به جای ورزش و نرمش هایی که انجام آن ها برایتان سخت و طاقت فرسات ، ورزشی را انتخاب کنید که واقعاً از آن لذت می برید ، احتمالاً بیش تر به آن خواهید پرداخت و وقت بیش تری به آن اختصاص خواهید داد .

  • یاد یگیرید که روش شما برای استراحت و آرامش ، منظم و عاری از داروهای آرام بخش و مسکن باشد .

مدیتیشن ( مراقبه و تفکر ) ، یوگا یا هر نوع از فنون مروبط به آرامش را می توان از معلمان و مربیان مختلف و روان پزشکانی که به صورت رسمی تأئید شده اند و مجوز دارند ، فراگرفت .

  • مشکلات و مسائل خود را در درون خود نگه دارید .

یک دوست ، عضوی از هیأت علمی دانشگاه ، یک مشاور یا یک روان پزشک پیدا کنید که بتوانید آزادانه و به راحتی با او صحبت کنید . بیان احساسات و تنش های درونی خود به یک شخص درد آشنا و دلسوز می تواند به صورت فوق العاده ای مفید باشد .

  • تفکر خود را عوض کنید .

این که از نظر احساسی و هیجانی چگونه حس می کنیم ، بستگی به دیدگاه و فلسفه ما دربارة زندگی دارد . دگرگونی و تغییر عقاید یک فرایند مشکل و پرزحمت است . دانش و آگاهی عملی در دنیای پیش رفته برای راهنمایی ما در حیاتمان کم تر وجود دارد . هیچ کس تمام جواب ها را در آستین ندارد ، اما بعضی جواب ها در دسترس اند .

تشویق دانش آموزان در کلاس :

بچه ها از نظر انگیزه هایشان نسبت به یادگیری دو دسته اند : یک دسته دارای انگیزة بیرونی و یک دسته دارای انگیزة درونی اند . بچه هایی که دارای انگیزة درونی اند ، نسبت به یادگیری از خود شور و اشتیاق نشان می دهند . آن ها معمولاً یک مبحث را به خاطر لذت بردن از یادگیری یا برای احساس ناشی از پیشرفت دنبال می کنند . دانش آموزان دارای انگیزة درونی ، تکالیف چالش برانگیز را بر تکالیف یکنواخت و ساده ترجیح می دهند و مایل اند که اطلاعات را به صورت عمیقی یاد بگیرند . این گروه از دانش آموزان برخلاف دانش آموزان دارای انگیزة بیرونی که به خاطر دریافت پاداش یا فرار از تنبیه و مجازات کار می کنند ،‌ فعالیت ها ، طرح ها و پروژه هایی را انتخاب می کنند که احتیاج به تلاش و کوشش بیش تری دارند . دانش آموزان دارای انگیزش بیرونی بیش تر به طرف تکالیف آسان کشیده می شوند تا حدودی انگیزش درونی یا بیرونی آنان شکل گرفته است ، ولی یک هدف والا و ارزشمند برای معلمان ، پرورش انگیزش درونی در بچه هاست .

بسیاری از معلمان معتقدند که پاداش های ملموس از قبیل برچسب ها ، آبنبات ، یا جایزه می تواند« سکوی پرتابی » برای ایجاد انگیزه در دانش آموزان باشد . آنان مدعی اند که تقویت رفتارهای مناسب می تواند نتایج مثبتی داشته باشد ، زیرا بچه ها تمایل دارند رفتاری را که پاداش داده شده است ادامه داده ، یا تکرار کنند . آنان اظهار می کنند که برخی از والدین فرزندانشان را ترغیب نمی کنند که به بهترین نحو در مدرسه عمل کنند و در نتیجه چنین دانش آموزانی نسبت به یادگیری بی تفاوت اند . این معلمان بر این نکته اصرار دارند که پاداش های ملموس می تواند به چنین دانش آموزانی کمک کند که دلیلی برای به تکاپو وادار کردن خودشان داشته باشند . آنان اظهار می کنند که بچه ها به خاطر به دست

شامل 16 صفحه فایل word قابل ویرایش


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله گوشه گیری ، کمرویی و انزواطلبی نوجوانان

پاورپوینت جستجو و اندازه گیری عوامل نگه دارنده و مواد افزودنی در شیر

اختصاصی از فی لوو پاورپوینت جستجو و اندازه گیری عوامل نگه دارنده و مواد افزودنی در شیر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت جستجو و اندازه گیری عوامل نگه دارنده و مواد افزودنی در شیر


پاورپوینت جستجو و اندازه گیری عوامل نگه دارنده و مواد افزودنی در شیر

فایل بصورت پاورپوینت در 37 اسلاید می باشد

عوامل نگهدارنده گاهی برای نگهداری شیر و جلوگیری از فساد و زمانی برای تبدیل شیر فاسد و خراب به شیری که دارای ظاهر معمولی باشد, اضافه میگردند.
حالت اول طبیعی بوده و حالت دوم تقلب محسوب می شود.


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت جستجو و اندازه گیری عوامل نگه دارنده و مواد افزودنی در شیر