دانلود مقالات شما ظرف 12 ساعت

اختصاصی از فی لوو دانلود مقالات شما ظرف 12 ساعت دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

کاربران محترمی که مقاله فارسی را برای دانلود مد نظر دارند لینک مقاله یا مشخصات آن را به ایمبل زیر ارسال کنند تا ظرف 12 ساعت روی سایت قرار گیرد

[e-mail]

مقایسه نظری دو مدل کارت های امتیازی متوازن و مدل کیفیت اروپایی

اختصاصی از فی لوو مقایسه نظری دو مدل کارت های امتیازی متوازن و مدل کیفیت اروپایی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

اندیشمندان علم مدیریت با تکیه بر تجارب سازمانهای موفق و پیشرو، همواره در پی یافتن راه حل هایی جهت بهبود وضعیت و حرکت به سمت تعالی بوده‌اند که نتیجه تحقیق و مطالعات آنها، منجر به پیدایش تکنیکهای مدیریتی متنوع و مدل های تعالی سازمانی شد. در همین راستا مدل تعالی سازمانی [1]EFQM در پاسخ به نیاز بهبود رقابت‌پذیری سازمان های اروپایی، بعد از مدل دمینگ و مالکوم بالدریج مطرح شد. در فاصله یکسال بعد از مدل اروپایی کیفیت، موسسه نولان نورتون مطالعه‌ای را تحت اندازه‌گیری عملکرد سازمانهای آینده آغاز کرد که نتایج این مطالعه در یک سال بعد مفهومی به نام کارتهای امتیازی متوازن را به وجود آورد که در آن ماموریت ها و اهداف استراتژیک، به مجموعه‌ای از سنجش عملکرد ترجمه شدند. این مطالعه به مقایسه نظری بین دو مدل کارت های امتیازی متوازن و مدل کیفیت اروپایی پرداخته است. در انجام مطالعه تطبیقی برای مقایسه‌ی این دو مدل از چارچوب کانجی برای مقایسه‌ی مدل های تعالی سازمان و چارچوب اوتلی جهت بررسی سیستم های کنترل مدیریت، استفاده شده است.  

فوتودیودهای آوالانژ (APDS)

اختصاصی از فی لوو فوتودیودهای آوالانژ (APDS) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقاله فارسی در فرمت ورد word قابل ویرایش – 14 صفحه

فوتودیودهای آوالانژ (APDS)

APDS سیگنال را در طی فرایند آشکارسازی تقویت می کنند . آنها از یک اصل مشابه با لوله های «فوتومولتی پلایر» بکار رفته در آشکارسازی تشعشع هسته ای استفاده می کنند . در لوله فوتومولتی پلایر :

1-یک فوتون واحد که بر روی دستگاه عمل می کند یک الکترون واحد منتشر می نماید .

2-این الکترون از طریق یک میدان الکتریکی شتاب داده می شود تا اینکه به یک ماده هدف برخورد نماید .

3-این برخورد با هدف باعث «فیلتراسیون ضربه ای» می شود که الکترون‌های متعددی را منتشر می نماید .

4-این الکترون ها از طریق میدان شتاب می گیرند و به هدف دیگر می‌خورند .

5-این امر الکترون بیشتری منتشر می کند و فرایند تکرار می شود تا اینکه الکترون ها به یک عنصر جمع آوری کننده برخورد می کند . لذا ، طی مراحل گوناگون ، یک فوتون به یک جریان از الکترون ها منجر می شود .

APD ها با لوله های فوتومولتی پلایر فرق دارند . لوله‌های‌فوتومولتی‌‌ پلایر‌

لوله های خلاء با هدف هایی قرار گرفته در طول لوله می باشند . APD‌ها از همان اصول استفاده می کنند اما تکثیر در داخل خود ماده نیمه هادی صورت می گیرد . این فرایند در APD ها منجر به یک تقویت داخلی بین 7 تا 100 برابر می شود . هر دو الکترون و سوراخ ها (حفره ها) اکنون می توانند به فرایند تقویت کمک نمایند . با این حال ، یک مسئله کوچک وجود دارد . با نگاه به   آشکار می شود که وقتی یک الکترون یک اتم را یونیزه می‌کند یک الکترون اضافی و حفره اضافی تولید می شود . الکترون به طرف چپ عکس حرکت می کند و حفره به سمت راست می رود . اگر حفره در اتم یونیزه شود یک الکترون (و یک حفره) آزاد می کند و الکترون به چپ حرکت می کند و دوباره شروع می نماید !‌

اگر سوراخ ها و حفره ها دارای فرصت برابر برای یونیزاسیون باشند می‌توانیم یک بهمن کنترل نشده بدست آوریم که هرگز متوقف نمی شود ! بنابراین وسایل طوری ساخته می شوند که یکی از حاملان بار دارای یک استعداد و آمادگی بیشتری برای یونیزاسیون نسبت به دیگری باشند .

نتیجه فرایند فوق آن است که یک فوتون وارد شونده منفرد بتواند منجر به تولید بین 10 تا 100 و یا چندین جفت حفره - الکترون شود . موارد مهم درباره دستگاه فوق الذکر آن است که ناحیه تکثیر خیلی کوچک است و جذب داخل لایه n بجای نزدیک به اتصال رخ دهد . یعنی ، جذب و تکثیر در نواحی جداگانه ای صورت می گیرند . شکل 103 را ملاحظه کنید . دو عامل مهم وجود دارد : 1-استحکام میدان الکتریکی مورد نیاز خیلی بالا است( ) . در حضور چنین میدان قوی ای ، نقائص در ناحیه تکثیر (مثل عدم انطباق های شبکه ای ، ناخالصی ها و حتی تغییرات در غلظت دو پانت) می توانند تولید نواحی کوچکی از تکثیر کنترل شده موسوم به «میکروپلازماسی» نمایند . برای کنترل این پدیده ناحیه تکثیر لازم است کوچک باشد . برای ایمنی این امر، حلقه محافظ فوق الذکر نصب شده است . در اطراف لبه های ناحیه تکثیر شما می توانید بی نظمی هایی و نقائصی را در ماده ببینید . بدون حلقه محافظ این موارد بصورت محل هایی برای میکروپلازماس عمل می کنند . بعلاوه ، برای ایجاد یک میدان الکتریکی با استحکام لازم ما لازم است یک ولتاژ بایاس کاربردی بکار بریم که با ضخامت ناحیه تکثیر افزایش می یابد . (برای دو برابر ضخامن ناحیه - دو برابر ولتاژ کاربردی مورد نیاز خواهد بود ) . دمای ولتاژها (ولتاژهای بالاتر از 12 ولت) گران قیمت بوده و به سختی در دستگاه‌های نیمه هادی کنترل می شوند و بنابراین سعی می کنیم ولتاژ کاربردی را حداقل نماییم ) . یک APD یک دیود P-i-n با یک بایاس معکوس بسیار بالاست . یک بایاس معکوس 50 ولت برای این دستگاه ها در مقایسه با دیودهای p-i-n بکار رفته در مورد فوتوکانداکتیو ، مناسب است که بایاس معکوس شده برای حدود 3 ولت است .(یا کمتر)

در گذشته ، APD ها در بازار به بایاس معکوس چند صد ولت نیاز داشتند اگرچه اخیراً‌ ولتاژهای کمتری بدست آمده اند . تفاوت ساختاری اصلی بین APD و یک دیود p-i-n در ناحیه «i» است که نام گذاری مجدد لایه p گرفته است . و بویژه ضخیم تر از یک ناحیه است و دستگاه برای تضمین یک میدان الکتریکی یکنواخت در کل لایه طراحی می شود . حلقه محافظ در این شکل برای جلوگیری از تعامل (اندرکش) های ناخواسته در طرف لبه های ناحیه تکثیر می باشد . دستگاه به این صورت عمل می کند :

فوتون های ورودی عمدتاً از اتصال n-p عبور می کنند (چون خیلی نازک است ) و در لایه ها جذب می شوند . این جذب کننده یک الکترون آزاد در نوار باند هادی تولید می کند و یک حفره در باند والانس (ظرفیت) تولید می گردد .

پتانسیل الکتریکی در لایه n برای جذب الکترون ها به طرف یک کنتاکت و حفره به طرف کنتاکت دیگر ، کافی است . در شکل الکترون ها به طرف لایه n+ در بالای دستگاه جذب می شوند زیرا وقتی دستگاه بایاس معکوس می‌شود بار مثبت را حمل می کند . گرادیان پتانسیل در لایه n برای حامل های کاربرها بار کافی نیست و آنها نمی توانند انرژی کافی برای انجام تکثیر را بدست آورند .