دانلود پروژه فیزیک (1)

اختصاصی از فی لوو دانلود پروژه فیزیک (1) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :13

بخشی از متن مقاله

پروژه فیزیک

مشکل جزئی مورد نظر با گذر زمان آلودگی‌های پرتوهای راکتور هاست. در حذف این آلودگی در مراتب بالاتر یک فیلتر ترکیب لازم است. یک فیلتر  شامل یک یا چند مواد اضافی است که در پرتو قرار می‌گیرد بنابراین AL و S با فیلتر F استفاده میشود تا پرتوی فیلتر  شده حاصل شود که شامل نوترونها حدود 3/24 کیلوالکترون ولت خواهد بود، Ti و Co برای رسیدن به پرتوی فیلتر شده در 2 کیلو الکترون ولت است و S به Si لازم است تا پرتویی در Kev 55 بدست آید و کاهشی در شدت پرتوی فیلتر شده بطور قابل ملاحظه نشان داده میشود.

تکنیک دیگر جهت کاهش آلودگی نوترون با پخش کننده رزونانس در داخل پرتو راکتور و پرتوی پخش شده فیلتر میوشد. بنابراین در اداره ملی استاندارد  (NBS) پخس کننده Mn در ارتباط با Ti + Sc استفاده میشود تا 97 درصد دسته‌های خالص 2 کیلو الکترون ولت نوترونها استفاده شوند. میل و هاروی از Mg و S استفاده شده که پرتوی فیلتر شده kev 75 استفاده شود و Ti و M با فیلتر Fe پخش می‌شود تا پرتو Kev  14 بدست آید پس پخش کنده Co با Ni و Fe پرتو Kev 5/4 را نشان میدهد و فیلتر  پرتو ev 500  را با پخش کننده Nd و فیلتر Zn یک پرتو ev 400 را نشان می‌دهد.

پرتوهای فیلتر شده مواد اولیه مودر استفاده است. U و Sc و fe و si  برای پرتوهای فیلتر شده در 186/0 ، 2 ، 3/24 ، 55 ، 144، و 2350 kev عنوان میشوند. در فیلترهای ایزوتوپ‌های جدا شده Er ، N ، zn ، sr ، zn ، Ni، e ، Cr پیشنهاد شده تا پرتوهای مربوطه و اطلاعات آن با کارر امروزی جهت طرح‌هی متغیر مناسب باشد ولی تمام این معیارات و طرح‌ها لازم است تا فیلتر ایزوتوپها جداگانه دیده شوند. در حالت خاص اطلاعاتی برای رسیدنت به انرژی بالاتر و جود دارد تا شدت خوب و نسبت سیگنال به زمینه در منطقه در مورد علاقه و انرژی آن بدست آوریم. مثالی از کل بخش مربوط به معیارات در کل کاربرهای فیلترها در شکل 4. Vtii  و برای  نشان داده شده است.

   

معیاراتی برای طرح فیلترها:

این فیلترهای پنجره برای پرتوهای نوترون‌ها ابتدا بسط می‌یابند. برخی از آزمایشات در پرتوها نیاز به نوترون دارند تا در دستة‌ باریکی با انرژی مناسب و انرژی ویژه در هر یک از ده دهه دیده شوند. مشکل Viii دو مشکل فیلترها را نشان میدهد که در یک رآکتور عمل میکند. فیلتربندی و ماده مربوط در این مثال fe است که در نیمه راه لوله پرتو قرار می‌گیرد که به پورت پرتوی راکتور فر برده میشود. این فضای بین Fe و لوله با صفحات پر میشود و در این مثال Al و S به مواد خاص اضافه میشود تا مواد فیلتر بندی ابتدایی استفاده شوند. پورت پرتو شکلa  5 Viii در مسیر مستقیم قرار می‌گیرد و سوخت رآکتور را نشان میدهد. پورت پرتو در مشکل b 5 Vtii  نسبت به انعکاس و همزه در نزدیک هسته قرار می‌گیرد در جهت مستقیم نوترونها در جهت موفقیت نمونه قرار می‌گیرد.

   

تجارب زیادی برای فیلترها بدست آمه است و حاکی است از عواملی که باید برری شوند که این طرح‌ها از فیلتر پرتو خواهد بود. حداکثر جریان نوتورن تک انرژی در موقعیت نمونه قرار دارد ولی لازم نیست بین متغیرها با بزرگترین قطر استفاده میشود و مواد فیلتر بندی باید به حد کافی در منطقه پرتو ایجاد شود که از تمام نقاط در منبع و صفحه منعکس کننده از فیلتر می‌گذرد و به نمونه میرسد. برای فیلترهایی که هزینه بردار است هزینه کمتر را انخاب کنید. اگر لازم باشد یک آزمایش را در نظر بگیریم پرتو باید به فیلتر اضافه شود. اگر  ما دو فیلتر به هسته راکتور خیلی نزدیک باشد بسیاری از نوترونها با انرژی ناخواسته در پرتو نشان داده میشود. بنابراین ما دو فیلتر بندی باید در نیمه راه بین منبع و وجه خارجی صفحات بیولوژیکی قرار می‌گیرد.

اجزاء یا ایزوتوپ‌ها برای ماه فیلتر انخاب میشود تا بخش در حداقل پنجره کمتر از 5/1 نوتورن درحد متوسط با انرژی دیگر مشخص باشد. ضخامت فیلتربندی انتخاب شده حدود 1/0 نوترونها است که انرژی را به فیلتر می گذرانند. عامل 5/1 نشان میدهد که نوترونها با انرژی دیگر در انتقال  است ولی نوترونها منبع اسپکتروم و طیف است که نسبت به نوترون در پنجره و سنجیده میشود. اغلب دسته‌ای در پنجره حدود 200/1 کل طیف نوترون‌هاست. اگر این فاکتورها به نسبت 5/1  باشد در جه خلوص پرتو 98/0 است. مواد فیلتر با نسبت مقطع بزرگتر از 5/1 ثابت نمی‌شود که نسبت 10/1 را نشان دهد ولی این پنجره توخالی در مقطع فیلتربندی سایه بندی میشود و مواد فیلتر بیندی ثانویه را نشان میدهند.

اغلب تغییرات انرژی دیده میشود از فیلتری دیگر ، بنابراین فیلترهای قابل تعویضی لازم است در دانشگاه راکتور تحقیقات میسوری (MURR) با فرو بردن لوله فیلتر و حذف آن کار میشود. و در عرض چند دقیقه میتواند راکتور را خاموش کند. روش ساده برای فیلترها برای چرخاندن پرتوهاست HFBR (راکتور پرتو با فلوی بالا) در بروفاوان شامل فیلترهایی است در خارج از صفحات بیولوژیکی .

این صفحات در اطراف طولانی‌تر است پس از فیلتر MTR, Fe از مخلوط فولاد زنگ ترن و برنج استفاده میشود که فیلتر Sc استفاده میشود  تا Ni و Ti بعنوان صفحات بکار میروند. دو یا چند عنصر لازم است تا پنجره‌ها بوسیله دیگری سایه‌دار شوند. از مخلوط بتون، آهن، سرب، آلومینویم بعنوان صفحه‌ای استفاده میشود. مواد متغیر با هر یک از صفحات ومرحله بندی میشوند. این مراحل جلوگیری می کنند تا فواصل با آب موجود تحت تأثیر اشعه گاما نباشد و Al طوری عمل می کند که مراقب باشیم آب یا Al منبعی در صفحه بیولوژیکی به حساب میآید ولی در این فاصله هوا هم وجود  دارد.

دومین و سومین ، دو فیلتر بندی شده لازم است استفاده شود تا مواد فیلتر بندی اولیه مشخص شود و مواد ثانویه نزدیک به پنجره است و مقطعی از مواد اولیه را  نشان می‌دهد. این مواد به نسبت 5/1 یا کمتر در پنجره با متوسط مقطع تمام انرژیها تنها 2/1 است ولی این مواد ثانویه Al و S مؤثر هستند و همراه Fe و Ti ،  Co به فیلترها اضافه میشود و S به فیلتر Si اضافه میشود.

این مواد ثانویه درجه خلوص را بالا میبرند و اشعه گاما را کاهش میدهند و همیشه از راکتورها خارج میشود.

چند روش دیگر برای پیشرفت در جه خلوص پیشنهاد شده است. این پورت پرتو در بالاترین موقعیت فلو نزدیک هسته ترجیح  داده میشود به نقطه پرتو در نقاط از سوخت نوترونها که پخش میشود آسان‌تر متغیر میشوند و انرژی بالایی را خواهند داشت. و این نوترونهای نومتر آسانتر فیلتر میشود و شامل انرژی بالاتری هستند و این فلوی گاه نومتر است نسبت به فولی گاه از سوخت مطرح میشود. فیلترها ر NBS از سوخت مستقیم استفاده میوشد. منگنز رزونانس پراکندگی در Kev 38/2 دارند که kev2 به پایین لوله کشیده میشود و nBVS تشخیص داد که فیلتر sc با فاکتور درجه خلوص 98/0 با فیلترهای Sc، با فاکتورها درجه خلوص 98/0  با فیلترهای SC دارای فاکتور 8/0 – 7/0 است.

در توسعه فیلترهای 238  مواد دیگری شناسایی شد که در پنجره‌هایی ev186 خواهد بود. پس چند ماده انتخاب شد تا این بخش‌ها با پنجره انرژی بالاتر در 238  مشخص شود. پیشرفت در خلوص پرتو با اضافه شدن Se ، Mn ، Ge ایجاد میشود تا به فیلتر 238 سنجیده شوند.

این پرتوهای فیلتر شده همیشه انرژی دارند تا به آسانی معیاری را در سابقه به کار گیرند. و ارزش دارد تا به آسانی معیاران را در نظر گیرند. سمیسون و دیگران روش «اختلاف فیلتر» را در نظر می گیرند. که در آن ماده منتخب دارای رزومانسی است که به پنجره سایه می اندازد و نسباً پایین است و انرژی نوترون را به کار می‌گیرد و معیارات شدت پرتو مطابق با نوترون غیر دسه‌ای است و فیلتر Fe  و Ti  S با Si و W با U همراه است.

بررسی طرح‌ها با مواد فیلترهاست که به آسانی با آن سر و کار دارند. اسکاندیوم، Al و S و Si و U کاملاً ثابت هستند و کالم میشوند که در نوترون و گاما دیده میشوند. S معمولاً به قوطی آلومینیوم باید دیواره قلع می‌چسبد. متأسفانه شکل ثابتی از  دیده نمی شود و شناسایی   مایع باید استفاده شود .  گازی در فیلترها با نیتروژن مایع استفاده میشود.

 گازی فشرده میشود و فیلتر  حدود  در میدان اشعه تغییر می‌کند و خطرات احتراق دارد. پس مایع فیلتر  در MURR در خارج از صفحه بیولوژیکی قرار می‌گیرد و به آسانی نمی توان با آن کار کرد. مواد متغیر رادیواکتیور میوشند ولی باید به آسانی با آن سر و کار داشت. چون اکثر فعال سازی ایجاد شده با نوترون حرارتی صفحه Li ، B ، Cd را در پایانه داخلی‌ ماده فیلتر کمک بر کاهش فعال سازی میکند.

متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

دانلود فایل 

دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه

اختصاصی از فی لوو دانلود تحقیق کامل درمورد تعیین چگالی بارهای سطحی میان گاه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :150

بخشی از متن مقاله

فهرست مطالب

فصل اول : ساختارهای دورآلاییده..................................................................... 1

مقدمه................................................................................................................. 2

1-1 نیمه رسانا..................................................................................................... 3

1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم............................................................. 4

1-3 جرم موثر................................................................................................. 4

1-4 نیمه رسانای ذاتی....................................................................................... 6

1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش............................................................................ 7

1-6 نیمه رساناهای Si و Ge ..............................................................................

1-7 رشد بلور ............................................................................................ 15

1-7-2 رشد رونشستی مواد................................................................................... 15

1-7-3 رونشستی فاز مایع ........................................................................................... 18

1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی .................................................................................... 19

1-8 ساختارهای ناهمگون.............................................................................................. 20

 1-9 توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی...................................................... 21

1-10 انواع آلایش............................................................................................... 23

1-10-1 آلایش کپه­ای................................................................................................ 24

1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی)................................................................. 24

1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی ................................................................................ 25

1-10-4 گاز حفره­ای دوبعدی.......................................................................................... 26

1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده ......................................................................... 27

1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به­­لحاظ ترتیب رشد لایه­ها ..................................... 27

1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p )................................. 28

1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه­دار.............................................................................. 29

1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده.......................................................................................... 33

1-12-1 JFET............................................................... 

1-12-2 MESFET ....................................

1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون ....................................................................... 35

فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی)................................................................... 38

مقدمه ............................................................................................39

2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی ................................................................................. 41

2-2 لایه تهی ......................................................................................................... 44

2-3 اثر شاتکی .......................................................................................................... 47

2-4 مشخصه ارتفاع سد............................................................................................. 51

2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد............................................................................... 51

2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد...................................................................................................... 57

2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ.............................................................................................. 57

2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی................................................................................ 60 

2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت.............................................................................................. 60

2-4-6 تنظیم ارتفاع سد ......................................................................................................... 62

2-4-7 کاهش سد ............................................................................................................... 62

2-4-8 افزایش سد................................................................................................. 63

2-5 اتصالات یکسوساز . ................................................................................................. 64

2-6 سدهای شاتکی نمونه  ................................................................................................... 64

فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده............................................... 66

مقدمه.............................................................................................................................. 67

 3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si ............................................................

3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si..........................

3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده............................................................ 71 

3-3-1 آلایش مدوله شده ایده­آل........................................................................................... 71

3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها ............................................................ 74

3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره­ای ................................................................... 74

3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها .............................................................................. 76

3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها ..................................................................... 77

3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها................................................ 78

3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده ............................................................................ 79

3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا ...................................... 79

3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا............................................ 82

3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ­حفره­ها ................................................. 83

3-8 ملاحظات تابع موج....................................................................................................... 86

3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه.............................. 87

3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه­دار............................ 87

فصل چهارم : نتایج محاسبات  .......................................................................................... 89

مقدمه................................................................................................................ 90

4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si ............................

4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls ..................................................................

4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA  ................................................................................

4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc .................................................................................

4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls ..................................................

4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار Si/SiGe/Si ................................. 

4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg ...................................................................................

4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت ........................ 107

4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و  تابعی خطی از vg با شیب منفی......................... 114

فصل پنجم : نتایج.................................................................................................... 124

5-1مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si ..........................

5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه .................................................................... 125

پیوست ...................................................................................................................... 129

چکیده انگلیسی (Abstract) ................................................................................... 139

منابع.............................................................................................141

چکیده

در ساختارهای Si/SiGe/Si که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می­یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می­گیرد اگر لایه­های مجاور با ناخالصی­های نوع p آلاییده شده باشند حفره­های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می­روند و تشکیل گاز حفره­ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می­دهند اینگونه ساختارها را ساختار دورآلاییده می نامند .به دلیل جدایی فضایی بین حاملهای آزاد دوبعدی و ناخالصی­های یونیده در ساختارهای دورآلاییده برهمکنش کولنی کاهش یافته و درنتیجه پراکندگی ناشی از ناخالصی­های یونیده کاهش و به تبع آن تحرک­پذیری حاملهای آزاد دوبعدی افزایش می­یابد .چگالی سطحی گاز حفره­ای دوبعدی به پارامترهای ساختار مثلاً ضخامت لایه جداگر ، چگالی سطحی بارهای لایه پوششی ، ضخامت لایه پوششی ، و غیره وابسته است. علاوه بر این در ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار با تغییر ولتاِژ دریچه چگالی سطحی گاز حفره­ای قابل کنترل می­باشد . این ساختارها در ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی مورد استفاده قرار می­گیرند .

در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده  Si/SiGe/Siمی­پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره­ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si  و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم .در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه­دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می­کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره­ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته­ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4  ارزیابی کنیم  .

متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است.

دانلود فایل 

دانلود فایل روت Root تبلت سامسونگ گلکسی تب پرو مدل Samsung Galaxy Tab Pro 8.4 Wi-Fi SM-T320 در آندروید 4.4.2 با لینک مستقیم

اختصاصی از فی لوو دانلود فایل روت Root تبلت سامسونگ گلکسی تب پرو مدل Samsung Galaxy Tab Pro 8.4 Wi-Fi SM-T320 در آندروید 4.4.2 با لینک مستقیم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع :دانلود فایل روت Root تبلت سامسونگ گلکسی تب پرو مدل Samsung Galaxy Tab Pro 8.4 Wi-Fi SM-T320 در آندروید 4.4.2 با لینک مستقیم

 
فایل روت تبلت سامسونگ Samsung Galaxy Tab Pro 8.4 Wi-Fi SM-T320

با لینک مستقیم می توانید فایل مورد نظر خود را دانلود نمایید
با تشکر تیم

دانلود پیت فایل pit گوشی سامسونگ گلکسی کور مدل Samsung Galaxy Core Duos GT-i8262 با لینک مستقیم

اختصاصی از فی لوو دانلود پیت فایل pit گوشی سامسونگ گلکسی کور مدل Samsung Galaxy Core Duos GT-i8262 با لینک مستقیم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

موضوع :دانلود پیت فایل pit گوشی سامسونگ گلکسی کور مدل Samsung Galaxy Core Duos GT-i8262 با لینک مستقیم

پیت فایل مدل Samsung Galaxy Core Duos GT-i8262

 با لینک مستقیم می توانید فایل مورد نظر خود را دانلود نمایید

با تشکر تیم

پاورپوینت درباره مدیریت تلفیقی آفت

اختصاصی از فی لوو پاورپوینت درباره مدیریت تلفیقی آفت دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

فرمت فایل :power point( قابل ویرایش) تعداد اسلاید: 26 اسلاید

vبرگزار کنندگان ؛

vپیشگفتار؛

vعوامل محدود کننده ؛

vمیزان خسارت اقتصادی ؛ ومیزان  مصرف آفت کش های شیمیایی در هند ؛

vدلایل روند رو به کاهش مصرف آفت کش ها طی سال های 1990 ؛

v فناوری های قابل دسترس ؛ و  استاندارد سازی ؛

v اثر بخشی فنی و اقتصادی بودن روشIPM  ؛

v پذیرش IPM از منظر شرایط اجتماعی- اقتصادی و سیاسی ؛

v

v

v

qپذیرش IPM و ویژگی های فناور ی ؛

q نقش سیستم ترویج در توسعه و انتشار فناوری ؛

q مشارکت جامعه کشاورزان کلید موفقیت در IPM؛

qتامین حشره کش های حیاتی عامل کلیدی در توسعه پایدارIPM  ؛

qاجرای قانون آفت کش ها به پذیرش  IPMکمک خواهد کرد ؛

qانگیزه های اقتصادی کشاورزان را تشویق خواهد نمود تا ...

qلزوم توسعه بازارمحصولات عاری از آفت کش.

q

v

nتولیدات کشاورزی در هند و در طول چهار دهه اخیر , با هدف دستیابی به خود کفایی در غذا , به طور محسوسی افزایش پیدا کرده است. این افزایش صرف نظر از افزایش سطح زیر کشت, به واسطه استفاده از فناوری های نوین مانند: استفاده از واریته های پر محصول , استفاده از کود های شیمیایی و آفت کش ها ی شیمیایی  بوده است.

nاز آنجایی که افزایش سطح زیر کشت همواره با محدودیت  هایی مواجه است , بنا براین , دستیابی به رشد در تولیدات کشاورزی از طریق افزایش بهره وری امکان پذیر است. به د یگر سخن , طی سا ل های آتی, تکنولوژی دررشد تولیدات کشاورزی, یک عامل کلیدی خواهد بود.