مقاله بهبود راندمان سلول خورشیدی سه پیوندی مبتنی بر گالیوم-آرسناید
با استفاده از چاههای کوانتومی ایندیوم-آرسناید
در طی سالیان اخیر سلولهای خورشیدی به عنوان منابع
انرژی پاک و تجدیدپذیر از اهمیت ویژهای برخوردار شدهاند. در این
گالیوم-آرسناید) به دلیل ) GaAs میان سلولهای خورشیدی مبتنی بر
بازدهی بالاتر و مقاومت بیشتر در مقابل تابشهای کیهانی و گرما اهمیت
بالایی دارند. برای افزایش راندمان سلولهای خورشیدی مبتنی بر
گالیوم-آرسناید استفاده از چاههای کوانتومی را به عنوان یک پارامتر
کلیدی و تاثیرگذار مورد مطالعه قرار میدهند. استفاده از ساختار چاه
کوانتومی در ناحیه ذاتی سلولهای خورشیدی سبب جذب طول موج -
های بالاتر و در نتیجه جریاندهی نوری بیشتری نسبت به سلولهای
خورشیدی تک گافی میشود. هر چه چاههای کوانتومی عمیقتر باشند،
ترازهای انرژی و تعداد الکترونهای قرار گرفته روی آنها بیشتر شده، در
نتیجه جریاندهی افزاره افزایش مییابد. بنابراین با افزایش ناخالصی لایه
32 برای سلول خورشیدی سه / و تغییر ضخامتها به بازده % 97 BSF
رسیدیم و همچنین با استفاده از 11 چاه InGaP/GaAs/Ge پیوندی
با GaAs با ضخامت 5 نانومتر و 10 سد کوانتومی InAs کوانتومی
34 دست یافتیم. / ضخامت 5 نانومتر به بازده % 89
واژه های کلیدی — شبیه سازی و بهینه سازی؛ بهبود راندمان؛ چاههای
کوانتومی ایندیوم-آرسناید ؛ سلولهای خورشیدی سه پیوندی ؛ گالیوم-
آرسناید
مقاله بهبود راندمان سلول خورشیدی سه پیوندی مبتنی بر گالیوم-آرسناید با استفاده از چاههای کوانتومی ایندیوم-آرسناید