تحقیق در مورد رسوب دهی لایه های نازک سخت ویا نرم

اختصاصی از فی لوو تحقیق در مورد رسوب دهی لایه های نازک سخت ویا نرم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه47

فهرست مطالب

  رسوب دهی لایه های نازک سخت ویا نرم

5.2 روشهای رسوب شیمیایی بخار

1. 2.1 طبقه بندی فناوریهای CVD

CVD

1. 2.4 روش کمکی پلاسما (ACVD) CVD
   • رسوب دهی فیلمهایی از الماس

1. 3.1 جنبه های عمومی وکاربردها
2. 3.3 تکنیکهای Spottering

5.3       تکنیکهای رسوب فیزیکی بخار

5.3.2 تکنیکهای تبخیر

در یک میدان بسته بکار گرفته شده است. میدان مغناطیسی غیربالانس M باعث افزایش شدت بمباران فیلم در حال رشد بوسیله یونهای پرانرژی شده که در نتیجه آن ساختار متراکم شده و چسبندگی آن بهبود می یابد. در حین عملیات رسوب دهی زیر لایه بین هدف ها دوران می‌کند. در ابتدا لایه نازکی از تیتانیوم تشکیل می‌شود با دوران زیر لایه در مقابل هدف ها پوشش از مخلوط   وتیتانیوم ایجاد می‌گردد. این لایه حاوی مخلوطی از ساختار چند لایه ای  به ضخامت 200nm است. در حین عملیات رسوب گذاری درجه حرارت کمتر از 100c است.

As همانطوریکه در مرجع {26] گزارش شده است از روش S یونی میتوان برای تولید پوششهای چند عنصری منحصر بفرد معروف به Laser-cout 964 رنگین کمان استفاده کرد. این پوششها حاوی مواد