مقدمه ای کامل و جامع و بسیار مناسب برای نوشتن پایان نامه
27 صفحه فایل word با فهرست مطالب، جدولها و شکلها و با رعایت تمام نکات نگارشی و با رفرنسهای معتبر
_______________________________________________________________________________________
لینک عضویت در کانال تلگرامی نفیس بازار:
جهت اطلاع از آخرین و تمام فایلهای تحقیقاتی موجود، شما می توانید با کلیک بر روی لینک زیر و سپس کلیک بر روی join در پایین صفحه در کانال عضو شوید
https://telegram.me/nafisbazar
_______________________________________________________________________________________
payannameht@gmail.com
فایل مرتبط:
مقدمه
روشهای ساخت و تهیه نانوساختارهای اکسید وانادیوم به دلیل کاربردهای روزافزون آن در زمینههای صنعتی بسیار زیاد بوده اما در اینجا به معرفی برخی از مهمترین روشهای آزمایشگاهی که از نظر اقتصادی مقرون به صرفه بوده میپردازیم. لایهنشانی لایه های نازک اکسیدوانادیوم تاکنون به روشهای مختلف فیزیکی و شیمیایی با ناخالصی‌های مختلفی انجام شده است.
در این فصل ابتدا به شرح مختصری از روشهای لایهنشانی میپردازیم. سپس، تهیه لایه نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی‌های مختلف آورده میشود....
2-1 روش های فیزیکی
این روشها در زیر بررسی شده‌اند.
2-1-1 روش لایه نشانی پالس لیزری (PLD)
لیزر به علت داشتن پهنای فرکانس کوچک، همدوسی و چگالی توان بالا، ابزار مفیدی در کاربردهای صنعتی و آزمایشگاهی است. شدت تابش لیزر قادر است تا سخت‌ترین مواد با مقاومت گرمایی بالا را تبخیر کند. مواد با ترکیبات مختلف را می‌توان با تابش لیزر تبخیر کرد وتابش لیزر پالسی به دلیل فلوئورگ گرمای بسیار بالای سطح هدف موجب می شود تا لایه نازک با تناسب عنصری دلخواه تشکیل شود. مزیت‌های این روش بر دیگر روشهای شیمیایی و فیزیکی، استفاده از مواد اولیه ساده، بخار پرانرژی، زمان لایهنشانی کوتاه، انعطاف‌پذیری در کیفیت بالای لایه نازک است. در روش PLD ماده اولیه‌ای که لایه نازک از آن تهیه میشود به عنوان هدف قرار میگیرد. خلوص هدف برای تشکیل لایه مورد دلخواه و مناسب، بسیار مهم است. سپس یک لیزر پالسی به آن تابیده و باعث جدا شدن مواد و ایجاد یک پلاسما میشود.
این پلاسمای تبخیری به سمت بستری که در نزدیکی هدف قرار دارد حرکت میکند و روی بستری که در دمای خاصی برای تشکیل لایه نازک مورد نظر تنظیم شده است می‌نشیند و لایه را تشکیل می‌دهد. این روش معایبی دارد؛ اول اینکه به دلیل شدت بالای توان لیزر ممکن است مواد هدف جوشیده و یا پوسته پوسته شوند، یا به صورت ذره‌ای از آن جدا شده و بر بستر بنشیند و در نتیجه لایه با ذرات درشت حاصل شود. همچنین به خاطر توزیع زاویه‌ای کوچک گونه‌های کندهشده در فیلم ممکن است ناهمگونی‌ها و حفره‌هایی در لایه ایجاد شوند به طوریکه تولید لایهنازک در حد انبوه را با مشکل مواجه کند. نمایی از روش PLD در شکل2-1 آمده است.....
.
.
.
2-1-2 روش کندوپاش
در روش کندوپاش یک یون پرانرژی غیرواکنشگر (مانند Ar+و Xe+) که تحت ولتاژ حاصل از میدان قرار دارد با کسب شتاب لازم، به اتمهای لایه سطحی ماده هدف برخورد میکند. برخوردهای متوالی این یونها با اتمها موجب گرم شدن ماده هدف شده و با انتقال تکانه به آنها، سبب کنده شدن و پاشیدن آنها به اطراف میشود. این یونهای پرانرژی قادرند تا به قسمتهای عمیق ماده نفوذ کنند و سبب کاهش بازده کندوپاش شوند. کندوپاش اتمهای سطحی برای اولین بار در سال 1۹۵2 میلادی توسط [1] W.R.Grove دربررسیهای مربوط به تخلیه پلاسمایی مشاهده شد، اما با پیشرفت فنآوری ساخت قطعات الکترونیکی، این روش نیز توسعه زیادی یافته است. ....
.
.
.
2-2 روش های شیمیایی
روشهای شیمیایی از نقطه نظر استفاده از ترکیبات آبدار یا ترکیباتی که در طی فرایند آن ازهیدروکسیل‌ها و قلیاها استفاده شود به روشهای شیمیایی مرطوب موسوم‌اند.
2-2-1 روش لایهنشانی اسپری پایرولیزیز (SPD)
در این روش ابتدا محلول مورد نظر توسط یک ماده پیشبرنده و یک حلال و ماده افزودنی که نوع لایه، جنس و ضخامت را تعیین میکند با نسبتهای از پیش مشخص شده آماده میشود. دستگاه اسپری شامل یک مخزن است که محلول را در آن ریخته میشود و توسط لوله‌ای از جنس سیلیکون به نازل وصل میشود. نازل دارای قطری در حدود mm2/0 جهت ریزکردن ذرات[1] و افشاندن آنها از ارتفاع معین قابل تنظیم، برروی یک صفحه داغ چرخان است به طوری که زیر لایه ها را برای لایه-نشانی روی صفحه داغ قرار می‌دهیم از یک گاز برای حمل محلول به درون نازل و پاشیدن آن به صورت افشانه برروی بسترها استفاده میشود که اندازه ذرات و کیفیت لایهها تحت تأثیر فشار گاز و قطر نازل قرار میگیرد.
خواص لایه های تهیه شده به این روش به ...
.
فهرست مطالب
1-1-2 روش لایه نشانی پالس لیزری (PLD) 1
2-2-1 روش لایه نشانی اسپری پایرولیزیز (SPD) 4
2-2-5 روش لایه نشانی بخار شیمیایی (CVD) 10
2-3 مروری بر سایر مقالات در رابطه با ناخالصی‌های دیگر. 12
2-3-1 خواص لایه‌های نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی Al3+ در روش PLD.. 12
2-3-2 خواص لایه‌های نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی فلوئور در روش CVD.. 17
2-3-3 خواص لایه‌های نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی نقره در روش کندوپاش.... 20
2-3-4 خواص لایه‌های نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی تنگستن در روش کندوپاش.... 23
مراجع.. 27
فهرست شکلها
شکل 2-1: نمایی از دستگاه لایه نشاتی لیزر پالسی.......................................................................................۱۸
شکل ۲-۲ برخورد یونهای پرانرژی به سطح ماده هدف در روش کندوپاش..........................................۱۹
شکل ۳-۲: نمایی از دستگاه لایه نشانی افشانه حرارتی.................................................................................۲۱
شکل ۴-۲: طرحی از روش کلی سل- ژل...................................................................................................۲۴
شکل ۵-۲: نمایی از روش غوطه وری........................................................................................................۲۵
شکل 6-2: نمایی از روش چرخشی...........................................................................................................۲۶
شکل ۷-۲: نمایی از روش CVD..............................................................................................................۲۷
شکل 2-8 دستگاه CVD........................................................................................................................۲۷
شکل 9-2: الگوی پراش لایه‌های اکسید وانادیوم روی سطح (۱۰۰) سیلیکون در دمای 600°C وفشار های مختلف O2.......................................................................................................................................................۲۹
شکل ۱۰-۲: الگوی پراش XRD لایه‌های اکسید وانادیوم در دمای الف) C°۶۰۰، ب) C°۵۰۰، و ج) C°۴۰۰ روی زیرلایه (۱۰۰) سیلیکون و در فشار 1.47mTorr با مقادیر متفاوت Al3+.........................۳۰
شکل 11-2: الگوی پراش XRD لایه‌های اکسید وانادیوم در دمای C°۶۰۰ و در فشار 1/47mTorr با مقادیر مختلفAl3+................................................................................................................................................۳۱
شکل 12-2: تصاویر FESEM لایه‌های اکسید وانادیوم الف)خالص، ب) 5°، ج) 10° و د) 25° ناخالصی Al2O3 به روش PLD...................................................................................................................۳۱
شکل 13-2: طیف XPS لایه‌های VO2 با ناخالصی Al2O3 روی زیرلایه (۱۰۰) سیلیکون..................۳۲
شکل 14-2: وابستگی دما برای مقاومت لایه‌های اکسید وانادیوم خالص و با ناخالصی Al2O3..................۳۲
شکل 15-2: تصاویر SEM اکسید وانادیوم با ناخالصی فلوئور در روش CVD.........................................۳۴
شکل 16-2: طیف Raman برای دماهای مختلف برای نمونه c..................................................................۳۵
شکل 17-2: طیف‌نگاری UV/Vis برای دماهای مختلف برای نمونه b.....................................................۳۵
شکل 18-2: الگوی پراش XRD برای اکسید وانادیوم خالص و با ناخالصی Ag......................................۳۷
شکل 19-2: تصاویر سطحی SEM لایه‌های AgxV2O5: الف) V2O5ب) Ag0/3V2O5ج) Ag0.8V2O5 و د) Ag1.8V2O5...........................................................................................................................................................۳۷
شکل 20-2: طیف XPS برای لایه‌های Ag0.8V2O5 و Ag1.8V2O5 الف) V 2p و ب) Ag 3d
شکل 21-2: دیاگرام تشکیل لایه اکسید وانادیوم با ناخالصیW
شکل 22-2: الگوی پراش XRD لایه نازک اکسید وانادیوم با ناخالصی W
شکل 23-2: تصاویر FE-SEM برای لایه‌های اکسیو وانادیوم الف) خالص و ب) با ناخالصی W
شکل 24-2: طیف عبور لایهنازک اکسید وانادیوم با ناخالصی W
شکل 25-2: انرژی گاف لایهنازک اکسید وانادیوم با ناخالصی W
لایه های نازک اکسید وانادیوم
