مطالعه عددی تاثیر میدانهای الکترو مغناطیس بر روی جدایی جریان در ایرفویل

اختصاصی از فی لوو مطالعه عددی تاثیر میدانهای الکترو مغناطیس بر روی جدایی جریان در ایرفویل دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده :

در کار حاضر هدف ما بررسی تاثیر نیروی لورتنس ناشی از تداخل میدان های الکترومغناطیسی و میدان جریان سیال، بر روی جریان سیال یونیزه آب نمک از روی ایرفویل NACA0015 می‌باشد. در اثر تاثیر این نیروها دیده می‌شود که ضریب لیفت افزایش و ضریب درگ کاهش می یابد و همچنین زاویه استال افزایش می یابد.

با توجه به اثرات مثبت این پدیده بر جریان سیال، تحقیقات گسترده ای بر روی این روش انجام شده و در صنعت ساخت هواپیما و زیر دریایی می‌تواند گره گشای برخی نواقص باشد.

فهرست مطالب :

مقدمه                                                                                                

فصل اول : تعاریف مفاهیم به کار رفته در این گزارش                                       

فصل دوم : روش های حل معادلات توربولانس

2-1 روش استاندارد

2-1-1 معادلات حامل در مدل استاندارد

2-1-2 مدل سازی لزجت مغشوش در مدل استاندارد

2-2-3 ثابت‌های مدل استاندارد

2-2 مدل RNG

2-2-1  معادلات حامل در مدل RNG

2-2-2 مدل سازی لزجت موثر در مدل RNG

2-2-3 اصلاح چرخش در مدل RNG

2-2-4 محاسبه اعداد پرانتل معکوس موثر در مدل RNG

2-2-5 ترم  در معادله

2-2-6 ثابت های مدل RNG

2-3 مدل هوشمند  

2-3-1 معادلات حامل برای مدل هوشمند

2-3-2 مدل سازی لزجت مغشوش در مدل هوشمند

2-3-3 ثابت های مدل هوشمند                                                               

فصل سوم : تئوری مدل MHD          

3-1 روش القای مغناطیس                                                                     

3-2 روش پتانسیل الکتریکی                                            

فصل چهارم : حل جریان و تاثیر نیروی لورنتس                                                 

4-1 ساده سازی معادلات ماکسول                                                                

4-2 نحوه ایجاد نیروی لورنتس موازی با جریان                                      

4-3 شرایط مسئله و حل جریان                                                                     

4-4 بررسی نتایج                                                                                 

جمع بندی و پیشنهادات                                                                       

مراجع

مدل‌سازی عددی هیدرولیک جریان و آبشستگی در پایین‌دست جریان ترکیبی همزمان از روی سرریز و زیر دریچه با استفاده از نرم‌افزار Flow3D

اختصاصی از فی لوو مدل‌سازی عددی هیدرولیک جریان و آبشستگی در پایین‌دست جریان ترکیبی همزمان از روی سرریز و زیر دریچه با استفاده از نرم‌افزار Flow3D دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مدل‌سازی عددی هیدرولیک جریان و آبشستگی در پایین‌دست جریان ترکیبی همزمان از روی سرریز و زیر دریچه با استفاده از نرم‌افزار Flow3D

به صورت ورد و در 76صفحه

در سازه‌های ترکیبی سرریز¬-¬ دریچه، تداخل جریان از زیر دریچه و روی سرریز باعث اختلاط شدید در جریان و تغییر در توزیع تنش‌های برشی کف می‌شود. از این‌رو شبیه‌سازی عددی الگوی جریان عبوری از این سازه‌ها بسیار پیچیده است. هدف اصلی از این تحقیق، شبیه‌سازی عددی هیدرولیک جریان و آبشستگی در پایین¬دست جریان ترکیبی همزمان از روی سرریز و زیر دریچه با استفاده از نرم¬افزار Flow3D است. نرم¬افزارFlow3D یک نرم¬افزار قوی در زمینه دینامیک سیالات محاسباتی است که برای حل مسائل با هندسه پیچیده مورد استفاده قرار می‌گیرد. این مدل برای شبیه سازی جریان¬های سطح آزاد سه¬بعدی غیر ماندگار با هندسه پیچیده کاربرد فراوانی دارد. در این تحقیق مدل¬سازی در حالت کف صلب و کف متحرک انجام شد و برای واسنجی و صحت¬سنجی این نرم¬افزار به منظور تخمین پارامترهای جریان در سازه¬های ترکیبی، از نتایج آزمایشگاهی صورت گرفته در این تحقیق استفاده شد. به منظور شبیه¬سازی پروفیل سطح آب از روش VOF استفاده شد. همچنین برای شبیه¬سازی آبشستگی جریان از مدل¬های مختلف آشفتگی مانند RNG k-ɛ، k-ɛ و LES بهره گرفته شد. پس از اطمینان از دقت مدل و با انتگرال¬گیری¬های پروفیل¬های سرعت روی سرریز و زیر دریچه، میزان دبی عبوری از روی سرریز و زیر دریچه تعیین شد. سپس با انجام آنالیز ابعادی، نسبت دبی عبوی از روی سرریز به زیر دریچه، تابعی از عدد فرود (Fr)، نسبت عمق بالادست سازه به بازشدگی زیر دریچه (H_1/W) و هد آب روی سرریز به طول سازه (H_d/T) گردید. مقایسه نتایج مدل¬سازی در حالت کف متحرک با نتایج آزمایشگاهی نشان می¬دهد که مدل از قابلیت بالایی جهت شبیه¬سازی الگو و میزان آبشستگی برخوردار است.

تحقیق در مورد محاسبات عددی

اختصاصی از فی لوو تحقیق در مورد محاسبات عددی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه59

فهرست مطالب

مسائل مقید[1] و نامقید[2] مینیمم سازی:

1-14حالت تک متغیره:

الگوریتم جستجوی فیبوناچی[3]

اکنون مسئله ای را مطرح می کنیم که مربوط به جستجوی نقطة مینیمم  از تابع پیوسته و تک نمایی F بر روی بازة معین  می باشد. تا چه اندازه دقیق می توان نقطة مینیمم  را با فقط n ارزیابی از F محاسبه کرد؟ بدون هیچ گونه ارزیابی از F بهترین چیزی که می توان گفت این است که ، و با گرفتن نقطة میانی  به عنوان بهترین تخمین، خطای  را می دهد. یک ارزیابی به تنهایی این موقعیت را ثابت نمی نماید و بنابراین بهترین تخمین و خطا به مانند مورد قبل باقی می ماند. بنابراین حداقل دو ارزیابی تابع را نیاز داریم، تا تخمین بهتری را بدست آوریم.

   

فرض کنید F در  و  محاسبه شده باشند، نتیجه در

14 نیز مشخص است، این است که این توابع بصورت یکنوا کاهش می یابند تا به نقطه ی مینیمم می رسند و بعد از آن بصورت یکنوا افزایش می یابند. برای مشخص کردن این موضوع،  را مینیمم تابع F در بازه ی [a,b] بگیرید و فرض کنید برای مثال F بصورت یکنوا بر روی بازه ی  کاهش نمی‌یابد، آنگاه نقاط  و  وجود دارند که

[1]-constrained

[2] -unconstrained

[3] -Fibonachi search Algorithem

دانلود تحقیق بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

اختصاصی از فی لوو دانلود تحقیق بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

شرح مختصر : با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده¬ای بالا رفته است. گوردن مور  معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965  نظریه¬ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می¬رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود . این کوچک شدگی نگرانی¬هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می¬کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد . جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه¬ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو  معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله¬های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده¬اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی پرداخته¬ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله¬های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه¬های نسل آینده را خواهند گرفت

سرفصل :

مقدمه

مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن

مقدمه

گونه های مختلف کربن در طبیعت

کربن بیشکل

الماس

گرافیت

فلورن و نانو لولههای کربنی

ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید  نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولولهی کربنی

بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی

ساختار الکترونی کربن

اربیتال p کربن

روش وردشی

هیبریداسون اربیتالهای کربن

ساختار هندسی گرافیت و نانولولهی کربنی

ساختار هندسی گرافیت

ساختار هندسی نانولولههای کربنی

یاختهی واحد گرافیت و نانولولهی کربنی

یاختهی واحد صفحهی گرافیت

یاخته واحد نانولولهی کربنی

محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولولهی کربنی

مولکولهای محدود

ترازهای انرژی گرافیت

ترازهای انرژی نانولولهی کربنی

چگالی حالات در نانولولهی کربنی

نمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولولههای کربنی

مدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحهی گرافیت

رابطهی پاشندگی فونونی برای نانولولههای کربنی

پراکندگی الکترون فونون

تابع توزیع الکترون

محاسبه نرخ پراکندگی کل

شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون

ضرورت تعریف روال واگرد

بحث و نتیجه گیری

نرخ پراکندگی

تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی

بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون

بررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

نتیجه گیری

پیشنهادات

ضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد.

منابع

چکیده انگلیسی

پایان نامه کارشناسی ارشد عمران مدل عددی طراحی سرریزاوجی در اثر پدیده کاویتاسیون

اختصاصی از فی لوو پایان نامه کارشناسی ارشد عمران مدل عددی طراحی سرریزاوجی در اثر پدیده کاویتاسیون دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

این محصول در قالب  پی دی اف و 154 صفحه می باشد.

این پایان نامه جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی عمران-سازه های هیدرولیکی طراحی و تدوین گردیده است . و شامل کلیه مباحث مورد نیاز پایان نامه ارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این پایان نامه را با قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده ازمنابع اطلاعاتی و بالابردن سطح علمی شما در این سایت ارائه گردیده است.