12 صفحه ورد +8 صفحه لاتین pdf
ساختار Biepitaxid، پیوند josephson و SQUIDs : ساختار و ویژگی‌های اتصال یا پیوند josephson و SQUIDs، yBCo/CeO2/Mgo Biepitaxid را بررسی و گزارش کردیم، در اینجا CeO2 به عنوان یک لایه استفاده شده تا یک محدوده یا مرز Biepitaxid برای بلور یا ذره ایجاد کند. سطوح تابکاری نشده لایه CeO2 و سطح تابکاری شده آن توسط میکروسکوپ اتر یا (AFM) بررسی شدند. دمای مقاومت لایه نازک yBCo/CeO2/Mgo نشان می‌دهد که فرآیند تابکاری برای لایه CeO2 به منظور ایجاد لایه فیلم YBCo با کیفیت خوب ضروری است. منحنی ولتاژ جریان اتصال یا پیوند josephson عملکرد مربوط به مقاومت اتصال (RSJ) را نشان می‌دهد. بعلاوه هر دو مرحله عددی یا انتگرال و یا نیمه انتگرال Shapiro در میدان مغناطیسی بکاربرده شده صفر مشاهده شد نوسان ولتاژ مغناطیسی مدولی شده نیز برای SQUIDs دیده می‌شود.
1- مقدمه: بدلیل توسعه و پیشرفت مدارهای مجتمع ابررسانا، High-T، اتصالات ابررسانای josephson به شکل گسترده‌ای مورد بررسی و آزمایش واقع شدند. به منظور بدست آوردن اتصالات josephson قابل کنترل و قابل دستیابی به انواع مختلف اتصالات مانند محدوده دارای لبه پله‌ای، SNS یا اساس و پایه bicrystaf استفاده شد. بهرحال این نوع مرزها معمولاً طی زمان ساخت با فرآیندهای بسیار زیادی درگیر هستند. برای ساده‌تر کردن فرآیند ساخت، اتصالات josephson محدوده دانه Biepitaxid مورد بررسی واقع شد. در این کار، CeCo2 انتخاب شد تا یک لایه برای محدوده ذره Biepitaxid باشد و روش ساده و شیمیایی حکاکی بجای فرزکاری آهن استفاده شد تا باعث جدا شدن نیمی از لایه CeCo2 از پایه Mgo شود.
SQUIDs و اتصالات josephson Biepitaxid را ساختیم. بعضی از ویژگی‌های جریان ولتاژ برای اتصالات josephson و SQUIDs مورد بررسی واقع شد. همچنین نوسان ولتاژ تقسیم شده در میدان مغناطیسی برای SQUIDs نیز بررسی شد.
CeO2 (پروژه ساختار سرامیک). همراه با متن لاتین